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可靠性设计 可靠性设计—— V.电子元器件的可靠性 本章内容 元器件的失效特征 元器件的失效机理 元器件的失效分析技术 元器件的选择和应用 1.元器件的失效特征 概念 元器件包括半导体分立元器件、集成电路元器件、电阻器、电容器、石英晶体振荡器、连接器、开关、电缆、光导纤维和继电器等。 失效特征，主要指元器件的失效规律，失效形式等。 元器件的失效规律 浴盆曲线（Bathtub curve ） 人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件，在刚投入使用的时候，一般失效率较高，叫做早期失效。经过早期失效后，电子元器件便进入了正常的使用期阶段，一般来说，在这一阶段中，电子元器件的失效率会大大降低。过了正常使用阶段，电子元器件便进入耗损老化期阶段，意味着寿终正寝。这个规律，恰似一条浴盆曲线，人们称它为电子元器件的效能曲线。 元器件的失效规律 元器件的失效规律 早期失效期 特征——多发生在元器件制造和计算机及其应用系统或电子设备刚安装运行的几个月内，一般为几百小时。 失效原因： 设计不当 元器件本身的缺陷 安装工艺不可靠 环境条件恶化 克服的办法：元器件筛选、严控质量和安装工艺、老化后再使用。 元器件的失效规律 稳定工作期（正常寿命期、正常使用期） 特征——元器件突然性失效较少，而暂时性故障较多。故障率可降低到一个较低的水平，且基本处于稳定状态，可以近似故障率为常数。持续时间较长。 失效原因：应力引起 元器件的失效规律 衰老期（耗损期） 特征——失效率大大增加，可靠性急剧下降，接近报废。 失效原因：元器件的物理变化、老化和机械磨损、疲劳磨损等。 克服办法：应用系统到了这个时期，应大修，更换一批失效的元器件。常采用定期维修、更换等手段进行预防降低系统故障率。 元器件的失效形式 分类： 突然失效 退化失效 局部失效 全局失效 元器件的失效形式 突然失效 也称为“灾难性失效”。这是元器件参数急剧变化或因元器件制造工艺不良，环境条件变化而导致短路或开路所造成的。 如器件因焊接不牢造成开路，或因灰尘微粒使器件管脚短路，电容器因电解质击穿造成短路等。 元器件的失效形式 退化失效 也称为“衰变失效”。这是因元器件制造公差，温度系数变化、材料变质、电源电压波动、工艺不良、电应力变化、随机影响和老化过程引起的，使元器件参数逐渐变化，性能变差。 元器件的失效形式 局部失效 退化失效使系统性能变化，使局部功能失效，称之为局部失效。 如数码寄存器因机器温度过高，使某一位触发器性能变差，导致该数码寄存器局部失效。 元器件的失效形式 全局失效 一个突然失效会使整个系统失效，这种失效称为全局失效。 如时序控制电路的晶体振荡器两端的电容突然短路，使该晶振损坏，造成整个微机无法工作，即整体失效。 2.元器件的失效机理 元器件的失效直接受温度、湿度、电压、机械、电磁场等因素的影响。 环境因素对元器件可靠性的影响 1. 温度影响 1）温度变化对半导体器件的影响 半导体器件与温度有直接关系。尤其是双极型半导体器件，组成这类元器件的基本单元P-N结，对温度变化很敏感。当P-N结反偏时，由少数载流子形成的反向漏电流受温度变化影响，其关系为 由上式看出，温度每升高10℃，ICO将增加一倍。 环境因素对元器件可靠性的影响 1. 温度影响 1）温度变化对半导体器件的影响 这种变化将导致如下结果： 晶体管放大器的工作点产生漂移。这是形成运放零点漂移的主要原因。 电流放大系数 β 发生变化，造成放大器增益不稳定。 导致晶体管的特性曲线发生变化，使其所允许的动态范围发生变化。 环境因素对元器件可靠性的影响 1. 温度影响 1）温度变化对半导体器件的影响 温度与允许功耗有如下关系： Pcm为最大允许功耗；Tjm为最高允许结温；T为使用环境温度；RT为热阻。 温度的升高将使晶体管的最大允许功耗下降。 环境因素对元器件可靠性的影响 1. 温度影响 1）温度变化对半导体器件的影响 环境温度升高将直接引起元器件温度升高，从而引起最高工作电压下降。 温度过高，将使元器件的P-N结被击穿而损坏。 由于P-N结的正向压降受温度的影响较大，所以双极型半导体器件TTL、HTL等IC的电压传输特性和抗干扰度也与温度密切相关。 环境因素对元器件可靠性的影响 1. 温度影响 2）温度变化对电阻的影响 温度变化对电阻的影响主要是温度升高时，电阻内热噪声加剧，阻值偏离标称值，允许耗散功率下降等。如RXT系列的碳膜电阻在温度升高到100℃时，允许的耗散功率仅为标称值的20%。 3）温度变化对电容的影响 温度变化对电容的影响主要是引起电容介质损耗变化，从而影响其寿命。温度每升高10℃时，电容器的寿命就降低一半，同时