SiO-%2c2-提高匍匐型剪股颖和水稻耐高温胁迫机理研究.pdfVIP

摘要 高温是制约植物生长的主要环境因子之一。硅能够提高植物的耐早性和耐热性，但 其机制仍不清楚．为研究硅对提高植物抗高温环境的影响，我们应用不同浓度的Na2Si03 作为硅源施入植物根部，用红外热像仪测定匍匐型剪股颖的叶表温度，比较施硅处理与 对照植株的耐热性差异。昭果表明，生长75天的匍匐型剪股颖，施硅处理与对照相比， 叶表温度有所降低，施用3mmol·L-1Na：Si03的降温效果尤其显著：随着测定环境温度 的升高，施硅处理的降温效果更加明显。对匍甸剪股颖的叶片进行EDX面扫描，硅主 要分布在叶片外表皮长细胞上，在叶表上形成了相似的条状，而对照叶片上则没有J为。 验证硅的降温作用主要是沉积在叶片外表皮的si02的红外热辐射造成的，而不同的硅 源处理和施用方式在红外热辐射特性上没有差异，我们人工合成了两个尺度的SiO：纳 米球，喷施在剪股颖叶表，并测定叶表温度变化，观察硅的分布。r结果表明，不同的硅 源处理起到了相同的降温作用，硅的分布特征也相同。为排除蒸腾降温作用和群体效应， 我们测定了去除地上部的根部温度和涂抹Si02溶胶的有机板温度。结果显示施硅后根 部的温度也有所降低，涂抹Si02溶胶的有机板比涂抹去离子水的有机板温度低。施硅 后地上部生物量有增加的趋势，施3mmol·L—Na2Si03的处理与对照相比地上部生物量 增加显著；但其它处理之间差异不显著。把在正常条件下生长50天的匍匐型剪股颖置 nrn 于高温生物培养箱中继续生长20天，观察不同处理的植株生长状况。喷施100 Si02 溶胶的匍匐剪股颖生长最好，其绿叶数最高，而根施Na2Si03处理的植株比喷施Si02 溶胶的植株生长差。在培养箱中生长lO天时，对照植株叶片开始黄化，并且逐渐萎蔫， 直至20天时死亡：而施硅的植株出现黄化的时间比对照晚，而且在高温条件生长20天 时，仍然有部分叶片保持绿色。结果表明喷施si02纳米粒子可明显地起到在高温胁迫 下的救急作用。广W-一 在对匍匐剪股颖研究的基础上，用粳稻(keng)和籼稻(hsien)作为植物试验材料，利 用红外热像仪比较测定叶表温度，分析叶表温度与硅营养的关系。培养30天的粳稻和 籼稻，籼稻叶表温度明显低于粳稻，这是由于籼稻的含硅量高于粳稻，同时也说明籼粳 稻南北方生长的适应性(温度的适应性)可能与Si02沉积量的多少有关。r所有结果表 明t硅造成植物叶表温度降低的唯一原因是叶片表皮细胞壁上沉积的Si02具有较强的 红外辐射能力，从而有效地降低植物叶表和根表的温度。，—厂 关键词：高温胁迫、硅、匍匐型剪股颖、粳稻、籼稻、红外辐射 ABSTRACT Call enhance stress ofthe Silicon isone factors High limitingplantgrowth temperature is toleranceto and therelatedmechanismunclear．The drought plant hightemperature，but is ofsiliconheattolerance of to the oo this effect