掺铒硅及掺铒多孔硅光学、电学性质.pdf

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2017-09-06 发布于安徽
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Abstract 棋g史擎硬士论文顾岚岚 The electricaland of silicon optical properties Er-doped and silicon Er—dopedporous Abstract Allthe inthis thesisarefocusedonthe and electrical of topics optical properties Er,O molecularbeam co—dopedsilicon(Si：O：Er)grown by anodic of Er—dopedporoussilicon(PSi：EO aSi：O：Er preparedby etching epilayer． f 111eauthor’sworkand main somenew as ideasarefollows： behavioranEr 1)The of andO silicon doping eo—doped layer grownby molecular beam studied．Discussionondonoror epitaxy(MBE)is acceptor characterof Er MBEis ismost for impuritydopedby rarelyreported．It the probably reasonthat MBE the werenot thick toundertakereliable layers enough electrical measurements．Inthis to the behaviorofEr d