碳化硅电热元件制备及性能研究.pdfVIP

论文题目 碳化硅电热元件的制备及性能研究 专 业 矿物加工工程 硕士生 张效华 (签名)；盔垂圣望 指导教师 李晓池 (签名)复选赶 摘要 传统工艺条件下生产的碳化硅电热元件存在着电阻离散性大、成品率低、强度低、 使用温度低、致密度差等问题。这些难题长期以来制约着碳化硅电热元件行业的技术进 步、产业升级、节能降耗、经济效益提高和出口创汇。因此摸索碳化硅电热元件的新型 制各工艺与探讨其结晶性能，对于改善其使用性能、提高成品率、使用温度以及发展新 型碳化硅电热元件都是非常必要的。近年来由于环保的需要，传统煤烧、油烧窑炉、逐 渐向气烧和电烧转变，加之建筑材料、耐火材料、电子陶瓷产品的更新换代，大部分电 子陶瓷产品、高级建筑材料、高级耐火材料都开始使用电热窑炉烧成，随着我国工业窑 炉和高温技术的发展，对碳化硅电热元件的使用温度和使用寿命也提出了更高要求。本 文的主要研究内容包括： (1)通过优化素烧和烧成窑中的保温料配方，改善保温料的导热和保温性能，扩大并 均匀温场，阻提高成品率、扩大产量。 (2)用现代测温技术、控温技术，严格控制烧成曲线，解决素坯温度梯度大造成的素 烧变形问题，以达到提高成品率的目的。 (3)利用单热源和双热源碳化硅合成炉，进行碳化硅电热元件的烧成试验。解决碳化 硅电热元件热端烧成中窑内温差大、温度不能精确控制，制品过烧和生烧造成的单体结 晶性能差异大、电阻离散性大、力学性能差、成品率低的问题。 (4)使用x．射线粉末衍射仪对制品的物相进行分析，使用电子扫描显微镜对制品表 面形貌、孑L道结构与分布、晶体结构进行分析。 通过对制备工艺的研究和制品性能的测试，找出最佳的素烧温度和最佳素烧填充 料，并对比了单热源烧成和多热源烧成的温度场的特点，找出了烧成的最佳温度区域。 通过对制品的物相分析和结构表征，进一步探讨烧成机理：碳化硅电热元件的再结晶反 应，就是在高温还原气氛中，棒体中次生碳化硅晶粒生成、长大、原碳化硅长大，而后 相互接触成为紧密堆积的聚集体的过程。探讨了碳化硅电热元件高温失效的主要原因， 通过对棒体涂刷二硅化钼涂层，表面能生成致密的石英玻璃膜，保护内层的SiC不再继 续氧化。 关键词：碳化硅电热元件；制各；结晶性能；电阻率；素烧：烧成 研究类型：应用研究 on and ofSiliconCarbide Subject：StudyPreparationProperties Element Electro-heating Specialty：MineralProcessingEngineering Name Xiaohua ：Zhang Instructor：LiXiaochi (signature)』=煎堂丛i ABSTRACT Siliconcarbide elementunderconventional have electro—heating productiontechnology some of resistance lowrateoffinished disadvantagesbig discreteness，the products，low andbad restrictthe intensity,lowusagetemperaturedensity．Theseproblems technology and ofsiliconcarbide element thoseare developmentupgrade electro