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第 3O卷 第 1期 影像 科 学 与 光 化 学 Vo1.3O N0.1
2012年 1月 ScienceandPhotochemis Jan.,2012
Lithography:ItsPathofEvolution andFutureTrends
YoshikazuYamaguchi,AkimasaSoyano,MotoyukiShima
(Sem ∞nd“ctorMaterialsLaboratory,FineElectronicResearchLaboratories,
JSRCorporation,100Kazvajiri—cho,YokkaichiMie512—8550,Japan)
Abstract: Optical lithography plays an important role within high volume
manufacturing (HVM)ofsemiconductordevices.Most“Stateoftheart’’Fabshave
implementedArFimmersiontechnologytoday.Doublepatterning,doubleexposure,
andside-wa11imagetransfertechnology allow fortheextension ofArF immersion
into32nm haK-pitch (HP)application.In ordertofabricatefinerpatterns,itis
necessarytOdevelopnew processes.EUV 1ithographyisa1eadingnextgeneranon
solutionfor22nm HP andbeyond.Inaddition,alternativesolutionssuchasnano-
imprintlithographyandmaskqesstechnologyarealsobeingconsideredforadvanced
nodes,however,theyareonly in thedevelopmentstageatthistimeand in their
currentstaterepresenta1otofchallengesforHVM.Inthispaper,anoverview O±
lithographyisdescribedfrom theaspectof “M aterials”.Additionally,futuretrends
inlithographywillbediscussed.
Keywords:lithography;nanodevices;resolutionenhancement;photoresistmaterials
ArticleID:1674—0475(2012)01—0001—08 CIA2number:TN305 Documentcode:A
Introduction
Demandsforhighperformancechipshavebeendrastically increasedaccording to
thedevelopmentofsmartphones,tablet—PCsandSOon.Scalingisanongoingchallenge
to fabricate a chip with multi—functions in a limited space for semiconductor
manufacturers.Inaccordancewiththedesignrules,everytwoyearscriticaldimensions
(CD)haveshrunk inhalfc¨.Scalinghasbeenrealizedbymakingaphotolithography
patternfinerandfinerbyimplementingalightsourcethathasashorterwavelengthfor
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