光刻技术:发展路径及未来趋势.pdfVIP

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第 3O卷 第 1期 影像 科 学 与 光 化 学 Vo1.3O N0.1 2012年 1月 ScienceandPhotochemis Jan.,2012 Lithography:ItsPathofEvolution andFutureTrends YoshikazuYamaguchi,AkimasaSoyano,MotoyukiShima (Sem ∞nd“ctorMaterialsLaboratory,FineElectronicResearchLaboratories, JSRCorporation,100Kazvajiri—cho,YokkaichiMie512—8550,Japan) Abstract: Optical lithography plays an important role within high volume manufacturing (HVM)ofsemiconductordevices.Most“Stateoftheart’’Fabshave implementedArFimmersiontechnologytoday.Doublepatterning,doubleexposure, andside-wa11imagetransfertechnology allow fortheextension ofArF immersion into32nm haK-pitch (HP)application.In ordertofabricatefinerpatterns,itis necessarytOdevelopnew processes.EUV 1ithographyisa1eadingnextgeneranon solutionfor22nm HP andbeyond.Inaddition,alternativesolutionssuchasnano- imprintlithographyandmaskqesstechnologyarealsobeingconsideredforadvanced nodes,however,theyareonly in thedevelopmentstageatthistimeand in their currentstaterepresenta1otofchallengesforHVM.Inthispaper,anoverview O± lithographyisdescribedfrom theaspectof “M aterials”.Additionally,futuretrends inlithographywillbediscussed. Keywords:lithography;nanodevices;resolutionenhancement;photoresistmaterials ArticleID:1674—0475(2012)01—0001—08 CIA2number:TN305 Documentcode:A Introduction Demandsforhighperformancechipshavebeendrastically increasedaccording to thedevelopmentofsmartphones,tablet—PCsandSOon.Scalingisanongoingchallenge to fabricate a chip with multi—functions in a limited space for semiconductor manufacturers.Inaccordancewiththedesignrules,everytwoyearscriticaldimensions (CD)haveshrunk inhalfc¨.Scalinghasbeenrealizedbymakingaphotolithography patternfinerandfinerbyimplementingalightsourcethathasashorterwavelengthfor

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