电子封装材料论文：(SiC_P+Cu)-Al电子封装材料制备及组织性能研究.docVIP

电子封装材料论文：（SiC_P+Cu）/Al电子封装材料制备及组织性能研究 【中文摘要】本文采用冷等静压+预压制+热挤压方法制备出SiC质量分数为30%,Cu质量分数分别为5%、8%、10%的铝基电子封装材料。利用X射线衍射分析仪、透射电镜、扫描电镜、电子拉伸试验机、热导率测试仪、热膨胀测试仪等设备对(SiC+Cu)/Al复合材料的组织结构、力学性能以及热学性能进行了观察与测试。对冷等静压后的材料首先在300℃进行预压制以提高致密度。之后在400℃和450℃分别对其进行热挤压。结果表明,复合材料组织致密;增强体分布均匀,没有发生偏聚。450℃热挤压后复合材料中Cu与Al完全发生反应生成CuAl2,而400℃挤压后复合材料中有Cu剩余,说明挤压温度对Cu和Al之间反应影响较大。对400℃和450℃挤压后复合材料的力学性能进行了测试与分析。实验结果结果表明,无论400℃还是450℃挤压后的复合材料,抗拉强度和弹性模量都随着Cu含量增加而增加,这与Cu和Al原位反应有关。400℃挤压后复合材料的抗拉强度要高于450℃挤压后复合材料,但对于弹性模量,则450℃挤压后较高。对电子封装材料极为重要的热物理性能进行了测试与分析。试验结果表明,复合材料热导率在450℃和400℃挤压后都随着Cu含量的升高而增大,且400℃挤压后复合材料热导率要高于450℃。并应用Hasselman模型对复合材料热导率进行计算,发现理论值大于实测值,这是由于Cu和Al原位反应导致热阻升高。对于电子封装材料另一重要热学性能热膨胀系数进行分析。研究了不同Cu含量对于热膨胀系数的影响,试验结果表明随Cu含量升高,热膨胀系数降低。而400℃挤压后复合材料的热膨胀系数大于450℃挤压后复合材料,并应用Kerner模型与两个温度挤压所得复合材料的实测热膨胀系数进行对比,发现低温时,误差较大,当温度升高到250℃以后时,误差较小。这是由于热残余应力释放速率随温度变化所引起的。本文通过冷等静压+预压制+热挤压的方法最终制备出密度小于4g/cm~3,热导率大于130W/m·K,热膨胀系数10×10-6K-1,抗拉强度大于220MPa性能优异的Al基电子封装材料,满足航空航天领域中对于电子封装材料性能的需求。 【英文摘要】In this paper, （SiCP+Cu）/Al electronic packaging composites were acquired by cold isostatic pressing （CIP）+ pre-pressing+hot extrusion . The weight percent of SiCP were fixed at 30%, then vary the weight percent of Cu 5%, 8%, 10%。Using TEM, SEM, dilatometer,thermal conductivity testing,we get the thermo-physical and mechanical properties and the microstructure of （SiCP+Cu）/Al electronic packaging composites.Composites by CIP were pre-pressed at 300℃in order to increase the density. The ultimate composites were fabricated by hot extrusion at two different temperature（400℃,450℃）. The rusult shows that the microstructure of composites seems to be much dense and homogeneous, and there are no obvious holes and inhomogeneity. When hot extrusion at 450℃, CuAl2 was synthesized by Al and Cu and there is no Cu remaining. However, there is some Cu in the composites when hot extrusion at 400℃. As a result, the temperature of hot extrusion influence the reaction of Al and Cu.The mechanical properties of composites were meaured and analysed in this