北京航空航天大学-氧分压对IWO薄膜表面形貌及光电性能的影响.docVIP

氧分压对IWO薄膜表面形貌及光电性能的影响 张远鹏 （北京航空航天大学物理科学与核能工程学院，北京 100191，中国） 指导教师：王文文 摘要：掺钨氧化铟（In2O3:W, IWO）薄膜是一种新型的透明导电氧化物（TCO）薄膜，其中W与In之间存在着较高的价态差，使得IWO薄膜与其他TCO薄膜相比，在相同的电阻率条件下具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点。本文利用直流反应磁控溅射法制备了IWO薄膜，利用扫描电子显微镜、Hall效应及分光光度计表征了薄膜的表面形貌及光电性能。在氧分压为2.4×10- 1 Pa的条件下，实验中制备的IWO薄膜最佳电阻率为 6.310-4Ω·cm ,最高载流子迁移率为 34 cm2V-1s-1 ,载流子浓度达到2.9×1020 cm-3, 可见光平均透射率约为85%，近红外平均透射率大于80%。 关键词： In2O3:W薄膜；直流磁控溅射；氧分压；表面形貌；光电性能  1 薄膜制备及性能测试 透明导电氧化物薄膜的制备方法有多种,如磁控溅射、脉冲激光沉积( PLD)、喷涂热分解、溶胶-凝胶 ( Sol-gel)法等[1]，本文采用的直流磁控溅射法，是磁控溅射法中的一种，与其他方法相比，直流磁控溅射法具有成膜速率大、可控性强、可大面积制备等优点[2]，在试验研究以及工业生产当中得到了广泛的应用。 影响薄膜光电性能的因素有很多，本文主要讨论