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1)设计制作如下图所示的EDNMOS的工艺步骤(不需要.docVIP

1)设计制作如下图所示的EDNMOS的工艺步骤(不需要.doc

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工艺集成 假定衬底掺杂浓度为1015cm-3,源漏的掺杂浓度为1020cm-3,结深为0.5?m,阈值电压调节注入时要求表面掺杂浓度为1017cm-3,而且在距表面0.5?m处降至与衬底浓度相同。根据你设计的工艺步骤,i)设计LOCOS和栅氧化所需的气氛,计算LOCOS所需的氧化时间和温度。ii)计算形成源漏和两个阈值电压调节所需的离子注入剂量。iii)计算上述三个离子注入区域的“驱入退火”所需的时间和温度。iv)根据以上的计算结果决定是否需要对问题1)中的所有退火步骤进行修正(包括顺序)。 注:其实原图表示的是某个剖面的实际情况,并非Al与N+之间有氧化层存在,只是该剖面正好不是接触孔所在截面位置而已。但是,为了大家方便理解,我把原图改为现在的样子,即把接触孔位置挪到同一个横截面内,大家按这张图做习题好了。

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