激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性.pdfVIP

第 27卷 　第 2 期 发 　光 　学 　报 Vol27 No2 2006年 4 月 CH IN ESE JOURNAL OF LUM IN ESCEN CE Ap r. , 2006 文章编号 : (2006) 0202 1506 激光分子束外延方法生长的 ZnO 薄膜的发光特性 1 1 1 2 2 2 2 谢伦军 , 陈光德 , 竹有章 , 张景文 , 杨晓东 , 徐庆安 , 侯 　洵 ( 1 西安交通大学 应用物理系 , 陕西 西安 　7 10049; 2 西安交通大学 信息光子技术陕西省重点实验室 , 陕西 西安 　710049) 摘要 : 研究了不同温度和不同光激发强度下激光分子束外延方法生长的 ZnO 薄膜样品的发光性能 ,发现 YA G脉冲激光激发 ,强度超过一定值时会在长波方向上出现一个新的发光峰 ,此峰可能起源于电子 空穴的 复合 。室温下氙灯激发的光谱中可以看到峰值位于 381 nm 的近带边紫外发射峰和位于 450 nm 的强的蓝绿 带发射 ,根据光致发光激发光谱的特征给出了一个简单的蓝光发射模型 。对比 YA G脉冲激光激发和氙灯激 发得到的实验光谱 ,我们认为不同的光谱特征和样品发光的激发机制有关 ,紫外峰发射需激发强度超过一定 值才能观察到 ,而蓝带发射则在一定的激发强度下迅速饱和 。 关 　键 　词 : ZnO 薄膜 ; 光致发光 ; 电子 空穴等离子体 ; 蓝带发射 中图分类号 : O472 3; O482. 3 1　　　PACC : 3250; 7855　　　文献标识码 : A 灯激发情况下较强的蓝绿带发射 , 同时也观察到 1　引　　言 了 YA G脉冲激光激发下的受激辐射 ,并对观察到 由于在短波长光电子器件方面潜在的应用前 的现象进行了讨论 。 景 ,宽禁带半导体材料的研究倍受人们重视 [ 1～4 ] , ZnO 的室温禁带宽度为 3. 37 eV , 激子束缚能为 2　实 　　验 60 m eV , 具备实现室温的紫外受激辐射的条件 , 实验所用样 品是激光分子束外延方法在 而且室温下的光激发激光发射和高温下的受激辐 ( ) A l O 000 1 衬底上生长的 ZnO 外延薄膜样品 , 2 3 射都已有报道 [ 5, 6 ] ,然而人们对 ZnO 材料的发光 生长温度为 280 ℃,激光光源为 248 nm 准分子激 特性 、发射机理以及它们与材料结构的关系尚不 光器 ,激光频率为 3 H z,单脉冲能量为 165 mJ ,生 清楚 ,而这些正是 ZnO 材料在光电子器件研究和 长时间为 40 m in ,生长结束以后在 500 ℃下氧气 应用方面的基础 。目前发现的 ZnO 的光致发光 环境中退火 30 m in。XRD 测试显示样品为 c轴 峰主要有 : 380 nm 左