SiCfTi复合材料界面反应区长大研究.pdfVIP

第34 卷 增刊3 稀有金属材料与工程 Vol.34, Suppl.3 2005 年 10 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING October 2005 SiCf/Ti 复合材料界面反应区长大研究 张国兴，石南林，雷家峰，张德志，李 东，杨 锐，吴维 ( 中国科学院金属研究所，辽宁 沈阳 110016) 摘 要：研究了 SiC/Ti 复合材料界面反应区厚度与热暴露温度、时间的关系，确定了界面反应区的长大规律。结果表 明，在同一温度下，界面反应区厚度与热暴露时间呈抛物线关系，反应区长大是扩散控制的，即x=kt 1/2+x0 ，温度越高， 界面反应区长大速度越快，反应区长大速率常数与温度之间遵循Arrhenius 定律。 关键词：SiCf/Ti 复合材料；界面；长大 中图法分类号：TG146.4 文献标识码；A 文章编号：1002-185(2005