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LED芯片封装缺陷检测方法研究 　时间：2009-11-26　浏览3879?次 【字体：大 中 小】 摘要：引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应，分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进行非接触检测，得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架问的电气连接情况，并对检测精度的影响因素进行分析。实验表明，该方法具有高检测信噪比，能够实现对封装过程LED芯片功能状态及封装缺陷的检测。计算结果与实验结果较好吻合。 　　关键词：LED芯片；封装缺陷检测；p-n结光生伏特效应；电子隧穿效应；非金属膜层 　　LED(Light-emitting diode)由于寿命长、能耗低等优点被广泛地应用于指示、显示等领域。可靠性、稳定性及高出光率是LED取代现有照明光源必须考虑的因素。封装工艺是影响LED功能作用的主要因素之一，封装工艺关键工序有装架、压焊、封装。由于封装工艺本身的原因，导致LED封装过程中存在诸多缺陷(如重复焊接、芯片电极氧化等)，统计数据显示[1-2]：焊接系统的失效占整个半导体失效模式的比例是25％～30％，在国内[3]，由于受到设备和产量的双重限制，多数生产厂家采用人工焊接的方法，焊接系统不合格占不合格总数的40％以上。从使用角度分析，LED封装过程中产生的缺陷，虽然使用初期并不影响