非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能影响.docVIP

非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能的影响.txt时尚，就是让年薪八千的人看上去像年薪十万。我们总是要求男人有孩子一样的眼神，父亲一样的能力。一分钟就可以遇见一个人，一小时喜欢上一个人，一天爱上一个人，但需要花尽一生的时间去忘记一个人。 本文由leepingpang贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第２９卷第８期 ２００８年８月 太阳能学报 Ａｃｎ～ＥＮＥＲａＡＥ Ｓ０１．ＡＲＩｓ ＳＩＮｌＣＡ Ｖ０１．２９．Ｎｂ．８ Ａｌｌｇ．，２００８ 非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能的影响 韩晓艳，张晓丹，侯国付，郭群超，袁育杰，董 培，魏长春， 孙 建，薛俊明，赵 颖，耿新华 （南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，光电信息技术科学教育部重点实验室， 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，天津３０００７１） 摘要：采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积（ⅥＢＰＥｃＶＤ）技术，以不同的反应气体总流量制备 出沉积速率大于ｌｎＩＩ｜，ｓ、次带吸收系数（口０。“）小于２．５ｃｍ＿１且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜，然而将其应用在微 晶硅电池中时，电池性能却有明显差异。通过对微晶硅电池的光、暗态乒ｙ，量子效率（伽）和微区拉曼（‰