气压对VHF-PECVD制备μc-Si：H薄膜特性影响的研究.docVIP

本文由wujinfeng05贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 维普资讯 第 ３ 卷 第 ３期　 ３ ２Ｏ Ｏ４年 ６月 　 人 工　 晶 体　 学 　 报　 Ｖ １３ 　 Ｎｏ ３ ０ ．３ ．　 Ｊ ＲＮ 　０ 　ｓ　ｊ唧 ＯＵ ＡＬ Ｆ １ ｒ Ｉ １ 　Ｃ ＹＳ Ａ Ｓ Ｃ Ｒ Ｔ Ｌ　 Ｊｎ ２ ｏ 　 ｕ ｅ．０ ４ 气压 对 Ｖ －Ｅ Ｖ ＨＦＰ Ｃ Ｄ制备 的　 －ｉＨ Ｓ： 　 薄膜 特性影 响 的研 究　 张晓丹， 朱 张德坤 ， 　 锋 ， 颖 ， 国付 ， 赵 侯 魏长春 ， 建 ， 孙　 任慧志， 薛俊明， 耿新华 ， 熊绍珍　 （ 南开大学光 电子所 ， 天津 ３０７） ００ １ 　 摘要 ： 文主要研究 了用 Ｖ ＦＰ ＣＤ方法制备 的不 同工作气 压的微 晶硅 薄膜 样品 。结 果表 明 ： 积速率 随反应 气　 本 Ｈ －Ｅ Ｖ 沉 压的增大而逐 渐增大 ； 光敏性 （ 电导 ／ 电导 ） 光 暗 和激 活能测 试结 果 给 出了相 同的变 化规 律 ； 傅立 叶红 外测试 、 ｘ射　 线衍射 和室温微 区喇曼谱 的结果都 表明 了样 品的晶化特性 ； 通过工 艺的具体优化