《超大规模集成电路设计导论》电路参数计算.pptVIP

* * * * 防止和控制闸流效应需要从生产工艺和版图设计两方面着手。通常所采取的措施，其目标基本都是减小寄生晶体管的电流增益β和降低寄生晶体管的基射极分流电阻Rw、Rs。 ①减小β值：增加横向PNP管的基极宽度，减小其电流放大倍数βpnp。 * * ②采用伪收集极：在P-阱和P+之间加一个接地的，由P-和P+组成的区域。它可以收集由横向PNP管发射极注入进来的空穴。这就阻止了纵向NPN管的基极注入，从而有效地减少PNP管的电流放大倍数βpnp。 * * ③采用保护环 保护环可以有效地降低横向电阻和横向电流密度。同时，由于加大了P-N-P管的基区宽度使βpnp下降。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 3、延迟时间：通常假设输入信号为理想的阶跃信号的情况下，计算门的平均延迟时间： * * * 在计算连线延迟时，我们用最简单的RC网络模型。考察节点Vi的时间响应： * 当网络节点分得很密时，上式可写成微分形式： 式中：r为单位长度电阻，c为单位长度电容。 通常信号在连线上的传播延迟时间可以用下式估算： 其中：l为连线长度，由于 ，l在连线延迟中起主要作用。为了减小延迟时间，可行