第8章 光电传感器.doc

第8章 光电传感器 主要内容： 8.1 光电效应 8.2 光电器件 光电管、光电倍增管、光敏电阻、光电晶体管、光电池、其他光电器件、电荷耦合器 8.3 光纤传感器 8.4 光栅式传感器 ? 概述： 光电传感器是将被测量的变化通过光信号变化转换成电信号，具有这种功能的材料称为光敏材料，做成的器件称光敏器件。光敏器件种类很多，如：光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏晶极管、光电池、光电耦合器件（CCD）、光纤等等。 ? 8．1 光电效应 传统的光敏器件利用各种光电效应，光电效应可分为： 外光电效应 内光电效应：光电导效应 光生伏特效应 8．1．1外光电效应 在光线作用下，电子逸出物体表面向外发射称外光电效应。光照射物体时，电子吸收入射光子的能量，每个光子具有的能量是： ——普朗克常数() ——光的频率（Hz），波长短，频率高，能量大 一个电子逸出的能量（动能）为, 由能量守恒定律有： 如果光子的能量E大于电子的逸出功A，超出的能量表现在电子逸出的功能，电子逸出物体表面，产生光电子发射。能否产生光电效应，取决于光子的能量是否大于物体表面的电子逸出功。 ? 8．1．2内光电效应 光电导效应 入射光强改变物质导电率的物理现象称光电导效应。这种效应几乎所有高电阻率的半导体都有，这是由于在入射光线作用下，电子吸收光子能量，电子从价带被激发到导带上，过渡到自由状态。同时价带也因此形成自由空穴，使导带的电子和价带的空穴浓度增大，引起电阻率减少。为使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg。基于光电导效应的光电器件有光敏电阻。 图8—1 光电导效应 光生伏特效应 光生伏特效应是半导体材料吸收光能后，在PN结上产生电动势的效应。 为什么PN结会因光照产生光生伏特效应呢？有下面两种情况： 不加偏压的PN结； 当光照射在PN结时，如果电子能量大于半导体禁带宽度（E0 ＞ Eg） ,可激发出电子—空穴对，在PN结内电场作用下空穴移向P区，电子移向N区，使P区和N区之间产生电压，这个电压就是光生伏特效应产生的光生电动势。基于这种效应的器件有光电池。 ? 图8—2PN结因光照产生电动势 处于反偏的PN结 无光照时P 区电子和N区空穴很少，反向电阻很大，反向电流很小；当有光照时，光子能量足够大，产生光生电子—空穴对，在PN结电场作用下，电子移向N区，空穴移向P区，形成光电流，电流方向与反向电流一致，并且光照越大，光电流越小。具有这种性能的器件有：光敏二极管、光敏晶体管，从原理上讲，不加偏压的光电二极管就是光电池。 ? 图8—3 为PN结加反向偏压 8．2 光电器件 8.2.1光电管 光电管是一个抽成真空或充惰性气体的玻璃管，内部有光阴极、阳极，光阴极涂有光敏材料。当光线照射在光敏材料上时，如果光子的能量E大于电子的逸出功A（E＞A），会有电子逸出产生电子发射。电子被带有正电的阳极吸引，在光电管内形成电子流，电流在回路电阻R上产生正比于电流大小的压降。 因此 目前光电管主要用途：光电比色计等分析仪器、各种光学自动装置。 图8—4 光电管工作原理 ? 8.2.2光电倍增管 光照很弱时，光电管产生的电流很小，为提高灵敏度常常使用光电倍增管。如核仪器中γ能谱仪、X射线荧光分析仪等闪烁探测器，都使用的是光电倍增管做传感元件。光电倍增管是利用二次电子释放效应，将光电六在管内进行放大。所谓二次释放是：高速电子撞击固体表面，再发出二次电子的现象。 ? ? 图 8—5 光电倍增管工作原理 ? 光电倍增管的光阴极和阳极之间被加了许多倍增极（10个左右），在阳极和阴极之间加有几百～上千伏的高压，每个倍增极电流逐渐升高，使电子加速，每个极间有100～200V高压，电流增益在105数量极，相当一个电子激发出10万个电子数目。倍增极外加电压Ud与增益G的关系近似为： ? 式中：——常数 ——光电倍增管倍增极数 增益变化： 由上式可见，外加电压Ud的变化引起光电倍增管增益的变化，对输出的影响很大，因此对供给光电倍增管的工作电源电压要求较高，必须有极好的稳定性。另外，光电倍增管受温度影响很大，在核探测技术中“稳谱”是一个重要内容，与光电倍增管的指标、参数密切相关。 要注意的是，由于光电倍增管增益很大，一般情况不允许加高压时暴露在日光下测量可见光，以免造成损坏，作为传感器使用时，通常需要将光电倍增管密封。 图8—6核仪器测量中的谱线漂移 ? 8.2.3光敏电阻 光敏电阻的工作原理是基于光电导效应，其结构是在玻璃底版上涂一层对光敏感的半导体物质，两端有梳状金属电极，然后在半导体上覆盖一层漆膜。 ? 图 8—7光敏电阻结构及符号 ? 光敏电阻光照特性： 光敏电阻无光照时，内部电子被原子束缚，具有很高的电阻值； 光敏电阻有光照时，当光子能量E0＞Eg时，电阻值随