PT系铁电材料的制备与性能表征.pdfVIP

摘要 本论文分两步研究了钛酸铅(PT)系铁电材料的制备工艺技术、物化结构 表征及铁电、介电、热释电性能。首先我们以铁电陶瓷为研究对象，利用传统工 艺方法制备了铁电PZT陶瓷靶材，并对掺杂、组分、工艺等因素对陶瓷块材的 介电、铁电性能的影响进行了探讨。然后以铁电薄膜材料为研究对象，采用溶胶 ～凝胶(Sot—Gel)法制备了PT系铁电薄膜，对薄膜的形貌、厚度、结晶等性能 进行了表征，对铁电薄膜材料的介电、铁电、热释电性能进行了研究分析。主要 内容如下： 1、采用传统陶瓷工艺制备了复合掺杂ca、sr和La三元素的PZT陶瓷。着 重研究了Zr／Ti及退火温度对PZT陶瓷性能的影响，研究发现：此二因素都是影 响PZT样品性能的关键因素。随Zr／Ti值在0．4／0．6到0．55／0．5范围内增大， 样品的剩余极化值只、介电常数r、损耗因子留J等参数均基本呈现增大趋势。 这是因为Zr／Ti在0．53／0．47的相界附近晶格畸变会发生突变，在此区域铁电体 结构较松弛，介电常数较大，内耗也较大。但烧结温度对不同组分的样品性能的 影响没有显现出特别明显的规律。 2、着重对掺La”、Mn”对PZT陶瓷结构与性能的影响作了研究和探讨，通过 对添加两物质的样品的介电、铁电性能的比较发现：掺La”可以增大剩余极化值 和损耗；掺杂Mn”可以降低损耗；同时加入La”、Mn”可以调整PZT性能得到理想 的效果。Pb过量0．05mol、Zr／Ti为55／45、掺La”量为2 atm％、掺Mn”量为O．15wt％ 的PZT组分，在1200℃烧结，保温90分钟得到的陶瓷材料具有良好的铁电和介 电性能：矩形度良好的电滞回线、剩余极化值只为40“c／cm2、矫顽场基为 瓷靶材在脉冲激光沉积法(PLD)制备铁电薄膜的工艺中得到应用。 u 3、采用Sol—Gel法成功制备了PbTiO，铁电薄膜，厚度为0．8 m，薄膜连续、 致密、无孔洞。对采用传统热处理和快速热处理两种方式晶化的PbTiO：，薄膜性 能进行比较发现：快速热处理方式晶化的薄膜电滞回线标准、极化强度大。这是 因为反应进行得迅速，有利于表面扩散，适合生成更多的晶核而造成的。 4、采用Sol—Gel法制备了PLT铁电薄膜。对薄膜的表面形貌、结晶性能、 薄膜厚度进行了表征。薄膜致密、连续、无孔洞，结晶良好，厚度为0．8微米。 研究了不同掺镧量(5％～28％)对薄膜介电、铁电性能的影响。对薄膜的热释电性 能进行了初步的探讨。由于添加镧产生铅空位，导致偶极子运动速率增大，而且 铅空位还会和临近的镧离子形成额外的偶极子，这些都使得薄膜的介电常数增 大。通过对不同掺镧量的PLT薄膜性能的综合比较可知PLT5(掺镧量为5％)薄膜 性能最优。 5、研究制各了同时掺杂La、ca的PLCT薄膜。采用旋转甩胶技术制膜，转 速6000转／分，甩胶lmin，对所制得的湿膜在红外灯下烘烤20min后直接甩胶， 重复甩胶一烘烤过程3次后，再进行5h升至550。C，保温lOmin的热处理，叠 加12层单层膜后，46℃／s的速率快速升至终烧温度，保温。制得连续、无孔洞， 性能良好的PLCT薄膜。 关键词：铁电材料，溶胶凝胶法，剩余极化值(只)，介电常数(e) 电子科技大学硕士学位论文 ABSTRACT of ceramicmaterialsofPZThavebeen the the In first dissertation，the part ofthe as and influence the the factors，such prepared