硅基太阳能电池高陷光纳米减反结构制备与研究.pdfVIP

2011年11月 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 中国三亚 硅基太阳能电池高陷光纳米减反结构 制备与研究 林阳1,2高云2，贾锐1，李昊峰1，窦丙飞1，金智1，刘新宇1，叶甜春1 (1．中科院微电子研究所，北京100029：2．湖北大学，武汉430062) 摘要： 采用化学腐蚀法制备硅基太阳能电池表面高陷光纳米减反结构。室温下利用HF， 观察表面形貌，利用量子测量系统测试其反射率，并与电池裸片和常规电池的金字塔反射率做 比较。总结出了化学腐蚀法所获得的纳米结构对提高电池的陷光都有很重要的作用，尤其是在 短波段下，其反射率是金字塔也无法比拟的。 关键词： 太阳能电池；陷光；纳米减反结构 l 引言 目前，传统晶体硅太阳能电池表面反射率达到12％左右，对光的利用率不算很高。为了进一步降低硅 基太阳能电池表面的反射率，研发了一种新的高陷光减反结构，即纳米结构绒面，它可以有效地提高太阳 能电池对光的利用率【l】。另外，纳米结构的带隙可以根据对阳光的最佳吸收来调整，太阳能电池理论效率 相对于带隙的曲线最大的峰值在1．5eV附近。因此通过调整纳米结构的形貌可以有效地调整带隙。其次， 纳米结构可用于将紫外光和蓝光转变成波长更长的光，起到下转换的作用，硅基太阳能电池对这些光有更 高的量子效掣21。此外，化学腐蚀的简单性和易于大面积制各使得纳米结构可以成为适合于大面积应用的 候选技术，纳米结构作为太阳能电池的高陷光减反结构具有良好的前景【3】。 本文采用酸腐蚀法制各纳米结构，主要意义在于添加不同的缓和剂，例如：HNO，，、2H50H、异丙醇 等，用于控制纳米结构的长度和稀疏程度，通过SEM测试纳米结构的形貌，测量其反射率，并分别比较 了添加不同缓和剂对纳米结构形貌和反射率的影响。 2纳米结构形成机理 目前，比较普遍的解释纳米结构形成的机理是：纳米结构的形成是由于HF中F离子在硅中空穴的协 基体腐蚀下陷： Si+2矿+6心=SiF62‘+H2t+4旷； 这种方法只是基于I-IF腐蚀硅片这一原理来进行的，但是单纯的HF腐蚀Si的速度是非常缓慢的，不 能用于太阳能电池制绒方面，因此在基于此原理的基础上，我们提出了新的方案来制备我们需要的纳米结 构[41。 本文主要采用的基本溶液是m7+l{202，并且向基液中添加硝酸、乙醇、异丙醇等缓和剂来调节纳米结 Si+H202=Si02：+H20 Si02+6HF=H2SiF6+2H20 -213． 林m等t＆肇^m能电№高陷№纳朱硅＆结构制*与研究 这样的腐蚀都是不定向的，利用这种不定向性控制时问的长短可以在一定时间内在硅片表面形成所斋 的纳米结构。在反应过程中会出现较多的气泡，很多时候气泡不能快速逸出从m附着在硅表面，使得样品 表面很不均匀。所以希望通过掭加部分的缓和荆来控制反应速度，使得表面更均匀。纳米结构吲其长度和 稀疏程度的不削，表现山不l司的形貌特征，’其纳米结构腐蚀过度，就会使得基体硅形成片K腐蚀下陷的 状态．其结构就会变得很疏散，问距约在微米量级。在添加缓和荆后就会对其反应速率和形貌有很好的控 Process)来解释，在这种腐蚀过程中量子效应具有决定性的作用9J。 3实验结果分析 的腐蚀程度．再观察形貌，升在之后添加不同缓和剂，如HN03、C2H50H、片丙醉，以控制其反应速度- 针对这几种溶液调节不刚浓度配比，分别进行腐蚀，在电子姓徽镜下观察其截面形貌，井测晨其反射率． 亦与传统电池金宇塔结构做比较。 “)HF+H202+芹丙醇，分别进行腐蚀．腐蚀后用SEM测试其形貌图。 幽l掭m币fd缓和刺，用SEMⅫ试其*貌幽：(a)无瑗目刺：(b)日峨： (c)L胖{(d)异丙孵 林阳等：硅基太阳能电池高陷光纳米减反结构制备与研究 在无添加缓和剂的基液HF+H202腐蚀液中，腐蚀180rain，如图1(a)所示，表面呈现大孔状，通