提高双沟道SiC+MESFET性能的双缓冲层结构研究.pdfVIP

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2017-09-04 发布于安徽
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提高双沟道SiC+MESFET性能的双缓冲层结构研究.pdf

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咿微波器件和模块、宽禁带器件 doi：10．3969／j．issn．1003-353x．2010．z1．005 MESFET性能的双缓冲层结构研究提高双沟道SiC 王易，邓小川 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都610054) 摘要：利用半导体二维数值分析软件Silvaeo研究了一种能提高双沟道单缓冲层4H—SiC MESFET性能的双缓冲层器件结构。二维数值仿真结果表明：双缓冲层结构的击穿电压从双沟道单缓冲层结构的136V提高到162V；同时截止频率和最高振荡频率也分别提高0．5GHz和7GHz。因此与双沟道单缓冲层结构相比，虽然漏极饱和电流有所降低，双缓冲层结构具有更优的频率特性和击穿特性。关键词：4H．SiC；MESFET；双沟道；双缓冲层中图分类号：TN386．3文献标识码：A 文章编号：1003．353X(2010)增刊．0014—03 with Researchon Dual·ChannelSiCMESFET Improving Deuble-BufferStructure Layer Xiaochuan WangYi，Deng ElectronicThinFilmsand Integrated of (State研laboratoryof Devices，University ElectronicScienceand TechnologyofChina，Chengdu610054，China) Abstract：An dual-channel4H—SiCMESFETswithdouble-bufferstructureis improved layers 2D simulation．强esimulationresultsindicatethatthebreakdown Silvaco—TCAD investigatedthrough voltage from136—162Vofthedouble·buffer ofthe buffer structureis structure．1hecut- single layer improved layers off andmaximumoscillation of 0．5GHzand7GHz。 frequency frequencyproposedstructure眦improvedby withthedual—channeland buffer double—buffer structure，the respectively．Therefore，comparingsingle layer structurehasbetter characteristicandbre