SrBi2Ta2O9LaNiO3异质结薄膜的铁电、磁性能及漏电流研究.pdf

第31卷第2期 广东工业大学学报 Vo1．31No．2 2014年 6月 JournalofGuangdongUniversityofTechnology June20l4 doi：10．3969／j．issn．1007—7162．2014．02．023 SrBi2TazO9／LaNiO3异质结薄膜的铁 电、 磁性能及漏 电流研究 李万朋，刘秋香 (广东工业大学 物理与光电工程学院，广东 广州 510006) 摘要：采用溶胶凝胶方法在Si(100)衬底上生长了SrBi：Ta：O ／LaNiO，(SBT／LNO)异质结薄膜，其 中SrBi O。薄 膜呈高度 (115)取向．测量了不同退火温度下异质结的电滞回线和漏电流密度 ，结果表明，700℃下退火的薄膜剩 余极化值最高，漏电流最低，且表现出弱的室温铁磁行为．漏电流机理分析表明薄膜界面为欧姆接触． 关键词 ：钽酸锶铋；漏电流密度；铁电；铁磁 中图分类号：O611 文献标志码：A 文章编号：1007~162(2014)02—0117-04 Ferroelectric，M agneticPropertiesandLeakageCurrentsof SrBi2Ta2O9／LaNiO3HeterostructureThinFilms LiWan-peng．LiuQiux·iang (SchoolofPhysicsandOptoelectricEngineering，GuangdongUniversityofTechnology，Guangzhou510006，China) Abstract：SrBi2Ta2O9(SBT)／LaNiO3(LNO)heterostructurethinfilmsweregrownonSi(100)substrate byusingasol—gelprocess．XRDresultsrevealhigh(115)orientationofSrBi2Ta2O9thinfilm．Thehys— teresisloopsandleakagecurrentdensityofthefilmsannealedatdifferenttemperaturesweremeasured． Thefilm annealedat700℃ showesthelowestleakagecurrentdensityandawellsaturatedP—E hysteresis loopwiththelargestremnantpolarization(Pr)of7．16uC／cm ．Leakagemechanismanalysissuggestsan Ohmicconduction．Inaddition．theSBT／LNOheterostructuresannealedat700 ℃ exhibitaweakroom- temperatureferromagneticbehavior． Keywords：SrBi2Ta2O9；leakagecurrentdensity；ferroeleetrie；ferromagnetic 近几年来，随着器件的微型化、多功能化，含有 SrBi2Ta2O／LaNiO3(SBT／LNO)异质结薄膜，并对不 两种或两种以上铁序(铁 电、铁磁或铁弹)的多铁性 同退火温度下薄膜的结构、电性能以及磁性能进行 材料受到广泛关注．到 目前为止，单相多铁材料的选 了研究． 择很少 1-2]，BiFeO 是少有的在室温具有多铁性的 1 实验 材料，但漏 电流过大严重制约了它的应用．因此多相 复合材料比如异质结 日益成为研究的热点 J．sr— 1．1 样品的制备 BiTaO 具有耐持久、抗疲劳特性好等优点，成为非