杨氏模量的测定98288.pptVIP

霍耳位置传感器的定标和杨氏模量的测定 一、实验目的 1.了解霍耳效应及霍耳位置传感器的原理 2.学会使用霍耳位置传感器法测杨氏模量 二、实验仪器 1.杨氏模量测试仪 2.千分尺 3.游标卡尺 三、实验原理 1.霍耳效应： ? 一块半导体薄片处于垂直于它的磁场B中，当通以电流I时，则在垂直于B、I方向上产生霍耳电势差，这种现象称为霍耳效应。 霍耳电势差的表达式为： 如果保持霍耳元件的电流I不变，而使其在一均匀梯度的磁 场中移动时，则输出的霍耳电势差变化量为： 若 为常数 ，显然有 其中，K称霍耳传感器的灵敏度 2.杨氏模量E得测量表达式为： d为两刀口之间的距离；M为所加砝码的质量；a为梁的厚度；b 为梁的宽度； 为梁中心由于外力作用而下降的距离；g为重 力加速度。 可以根据霍耳位置传感器来进行测量 四、实验步骤 1．调节三维调节架的上下前后位置的调节螺丝，使传感器探测元件处于磁铁中间位置。 2．用水准器观察是否在平衡位置，若偏离可用底座螺丝调节到水平位置。 3．调节霍耳位置传感器的毫伏表。磁铁盒可上下调节，调节螺丝使磁铁上下移动，当毫伏表读数值很小时，停止调节并固定螺丝，最后调节零电