半导体Zno亚微米钉合成与表征.pdfVIP

第37卷 第3期 稀有金属材料与工程 、，01．37．No．3 March2008 2008年 3月 RAI也METALMATERIAI，SANDENGⅣEElu[NG 半导体Zno亚微米钉的合成与表征 武祥，隋解和，蔡伟 (哈尔滨工业大学，黑龙江哈尔滨150001) 摘要：使用热蒸发法合成了一种亚微米级的钉状结构znO．扫描电镜和x射线衍射分析表明：使用这种方法合成的 钉状Zn0具有六方纤锌矿结构；znO亚微米钉结构的杆部直径范围在200qoonm之间，底座部分的直径一般大于400 nm．有些甚至大到微米级；由于没有使用催化剂，因此推测这种znO亚微米钉的生长过程很可能遵循气．固生长机制。 此外，还研究了这种znO亚微米钉结构的发光特性。 关键词：半导体；ZnO；亚微米钉：合成 中图法分类号：TN304．05 文献标识号：A 文章编号：1002．185X(2008)03．0547-04。 由于一维半导体纳米材料在电子、光电子学等领 1h，反应过程中炉内压强保持在0．05MPa。冷却后， 域具有潜在的应用价值【l一】，引起人们持续广泛的关 发现硅衬底上形成一层白色的物质。用X射线衍射仪 注。znO作为一种直接宽带隙半导体，在室温下其带 Dmax—rB，C山毛radiation，旯=0．1542衄，40 (Rigalm 隙能为3．37ev，激子结合能为60eV【41，这些性质决 kv，100n峻)、场发射扫描显微镜(HitachiS一4800)、能 定了ZnO是一种非常理想的制造紫外激光器的侯选 材料。到目前为止。人们已经合成了各种各样的ZnO 和化学成分进行了表征。 同时用荧光光度计(Hitachi F．4500)对合成产物的光学性能进行了分析。 纳米结构，如znO纳米管Ⅳ】、纳米线【7-81、纳米带【91、 纳米环和纳米弓【lo】、纳米弹簧【11】、纳米驱动器阵列‘12】 2结果和讨论 等。这些纷繁复杂形貌的出现一部分取决于所使用的 制备方法(如化学气相沉积【”】、物理热蒸发f91、高温 图l是合成材料的管式炉示意图。石英管内径40 分解(14】、激光烧蚀㈦16】和湿化学方法㈣等)，最重要mm。长80cm。所使用的载气为氩气，管式炉内压强 的是取决于znO这种材料所具有的特殊结构特性， 用气压表显示。 即Zn、o不对称极性面的存在。Ren【18】等用热蒸发 znO和In203的方法制备znO纳米桥和纳米钉。Cao[19】 等用直接蒸发Zn粉的方法制备了多足状的ZnO纳米 结构，这种纳米结构带有纳米钉状的腿。本实验将报 道使用一种简单的热蒸发法来制备高质量的ZnO亚 微米钉。 图l合成产品的管式炉设备示意图 1 实 验 SchematicoftIIbefumace Fig．1 setup 本实验采用热蒸发法合成ZnO亚微米钉。所用的 Si衬底首先在丙酮中超声2h，然后用去离子水冲洗 图2是管式炉温度梯度示意图。图3是合成ZnO 亚微米钉的扫描电镜照片。图3a为低倍的扫描电镜照 晾干。将ZnS(纯度99．99％)和C粉(摩尔比1：1)均匀混 合后放在氧化铝瓷舟中，然后置于管式炉中部。整个 片。可以看出有大量地ZnO亚微米钉分散在硅衬底