北大信科速腾棒尾灯半导体器件特性.ppt

* 速腾棒LED器件电路讲义 第二章 No.* ②、微变等效电路(small signal model) vD iD 0 Vth 各模型适用范围： 当Vi≥10Von时，使用理想模型； 当Vi与Von接近时，使用恒压降模型或折线模型； 当外加信号幅度动态范围较小时，使用微变等效电路。 只考虑二极管两端的电压在某一固定值附近作微小变化时引起的电流变化，可用曲线在该固定值处的切线来近似表示这一小段曲线，而将二极管等效成一个微变等效电阻rd。 即： 等效 a b a rd b 微变等效电路 * 速腾棒LED器件电路讲义 第二章 No.* 5、判定与应用 ⑴、判定 使用万用表判定二极管的正负极，测得小电阻时，黑表笔对应的为正极。 ⑵、应用 利用二极管的单向导电性，可对信号进行限幅处理，实现整流、检波等功能。 另外，利用二极管的其它特性，还能完成一些特殊功能。如稳压二极管（Zener diode，反向电击穿时管压降不变）、光电二极管（photoelectric diode，受光照导电能力剧变）、发光二极管（light-emitting diode，激发的自由电子回到基态会产生辐射）、变容二极管（varactor diode，PN结电容会因外加电压的变化而改变），等等。 * 速腾棒LED器件电路讲义 第二章 No.* §2.3　双极型晶体管（BJT：bipolar junction transistor） 一、结构特点 双极型晶体管又称晶体三极管(semiconductor triode)或晶体管(transistor)，可以近似看作两个二极管背靠背组合而成，它包含两个PN结。 发射极 (Emitter) 用E或e表示 基极(Base) 用B或b表示 集电极 (Collector) 用C或c表示 发射结(Je) 集电结(Jc) 发射区：掺杂浓度高 基区：掺杂浓度低，很薄(μm量级) 集电区：中度掺杂，面积较大 e b c N P N型硅衬底 * 速腾棒LED器件电路讲义 第二章 No.* 根据各区性质不同，三极管分为PNP型和NPN型两种。 结构 符号 PNP型 NPN型 e b c P P N e b c N N P b e c b e c * 速腾棒LED器件电路讲义 第二章 No.* 二、工作原理 要使三极管正常工作（放大），外加电压必须满足一定的条件：发射结正偏，集电结反偏。 1、载流子的运动 N N P e c b Ve（1V） Vc（几伏～几十伏） ①、e区向b区发射电子：由于发射结正偏，利于扩散运动，形成扩散电流IEN、IEP，而e区掺杂浓度高，故有IEN IEP，两者之和形成发射极电流IE。 IEP往往被忽略不计。 IE IEN IEP 注：图中箭头所指为载流子的运动方向，而不是电流方向，电子的运动方向与电流方向相反。 * 速腾棒LED器件电路讲义 第二章 No.* ②、电子在b区的扩散与复合：e区注入到b区的电子，因浓度差而继续向c区扩散，在扩散的过程中有部分电子与b区中的空穴复合，形成电流IBN，由于空穴由基极补充，故IBN是IB的一部分。 N N P e c b Ve（1V） Vc（几伏～几十伏） IE IEN IEP IBN IB * 速腾棒LED器件电路讲义 第二章 No.* ③、电子被集电极收集：由于集电结反偏，且所加反偏电压较大，扩散到集电结边沿的电子在电场的作用下很容易漂移过集电结，到达c区，形成电流ICN ，构成集电极电流IC的一部分。 ④、集电结的反向电流：集电结反偏，则在基极与集电极间有反向饱和电流ICBO（collector-base cut-off current） 。 N N P e c b Ve（1V） Vc（几伏～几十伏） IE IEN IEP IBN IB ICN ICBO * 速腾棒LED器件电路讲义 第二章 No.* 2、电流分配关系 定义： ——共基极直流电流放大系数 当ICICBO时， 则 hFB一般为0.9~0.99 静态 （直流） (common base direct current amplification factor) * 速腾棒LED器件电路讲义 第二章 No.* 整理上式，将IE消去，可得： 令 ——共射极直流电流放大系数 则： 当基极开路，即IB=0时， 穿透电流 动态（交流）： ICBO为本征热激发引起，只与温度有关，与结电压变化无关，当温度一定时是一个常数。 (common emitter direct current amplification factor) * 速腾棒LED器件电路讲义 第二章 No.* 定义： ——共基极电流放大系数 ——共射极电流放大系数 则： hfb≈1 hfe≈10~100 三极管的联接法 b e c b