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奈米級先進金屬氧化半導體(MOS)元件的有效通道導電性 The Effective Channel Conductance of NanoMOS Devices 黃恆盛* 黃啟聰 陳信男 Heng-Sheng Huang* Chi-Tsung Huang Hsin-Nan Chen 國立臺北科技大學機電整合研究所 摘要 在本文中，我們將以修正式的電容-電壓量測方法，考量源極∕汲極延伸側邊接面效應來探討有效通道氧化層厚度模型。通道氧化層厚度，dox,eff (Leff)= εox / Cox,eff(Leff)，將變成有效通道長度(Leff)的函數且不再是與元件尺寸無關。此外，我們也將在這篇文章中，詳細的探討Cox,eff 或是dox,eff 稍微受偏向電壓(Vgs or Vds)的影響。而在halo製程下(一種在源/汲極延伸區的下方，形成一和基底中摻雜類型相同但濃度較高的區域)，元件有效遷移率的降低，μhalo(Leff)，也將被討論。同時，我們也將首次提出在ELJ效應下的有效通道導電性單位因子，G(Leff) = μhalo(Leff)Cox,eff(Leff)的關係。最後，在0.13 μm製程技術下元件N/PMOS的G(Leff)之間差異也一併加以說明，以利未來奈米級元件開發之參考。 關鍵詞：通道氧化層、通道導電性、ELJ model、C-R方法、有效通道長度(Leff)、短通道效應。 投稿受理時間：90年10月17日 審查通過時間：91年1月4日 ABSTRACT In this paper, the effective channel oxide thickness model, considering the source/drain extension lateral junction effect (ELJ effect), is proposed and verified using a modified C-V method (C-R method). The channel oxide thickness, dox,eff (Leff)= εox / Cox,eff(Leff), becomes a function of effective channel length (Leff) and no longer independent of device size. Cox,eff or dox,eff is also slightly dependent on the bias voltage (Vgs or Vds), which is discussed in details in this paper. The effective mobility degradation of devices using the halo process, μhalo(Leff) is also discussed. The effective channel conductance unit factor G(Leff) = μhalo(Leff)Cox,eff(Leff), which considers the ELJ effect is proposed. The difference between the G(Leff) of N/PMOS devices, which is processed using 0.13 μm technology, is also discussed. Keywords: Channel oxide, channel conductance, ELJ model, C-R method, effective channel length (Leff), short channel effect. 壹、簡介 當元件尺寸愈做愈小時，短通道特性行為（the short channel behaviors,或 2-D 效應）將伴隨發生。例如，在1974年被提出的電荷共享模式（the charge-sharing model）[1]，便是著名的2-D理論探討。這個電荷共享模式（the charge-sharing model），即是說明了為何在短通道元件時，Vt (Leff)會下滑（rolling-off）的原因。然而，我們相信2-D的效應不僅影響Vt 的參數，而且也會影響其他的參數。例如，當我們使用shift and ratio方法去萃取Leff(=Lmask –ΔL)的參數時，產生一個 ‘Vt shift’補償值，ΔL的值仍是與Leff極為相關（dependent）且不一致的[2][3][4]。從圖一中，我們可以看出這種不一致的現象，而這個結果是由於在MOS區