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- 2017-09-03 发布于安徽
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Ca Si 电子结构和光学性质的研究
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杨创华，谢泉 ，赵凤娟，陈茜，任雪勇，梁艳，曾武贤
贵州大学电子科学与信息技术学院，贵阳 （550025 ）
E-mail ：chuanghua304@
摘 要：采用第一性原理赝势平面波方法系统的计算了Ca Si 电子结构和光学性质，其中
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包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数。计算结
果显示Ca2Si 是典型的半导体，正交相结构有一个直接的带隙，并且光学性质显示出各向
异性。Ca2Si 立方相的计算结果也显示是直接带隙半导体，并且有很高的振子强度。从能
带和态密度的计算结果判断出它们的光学性质主要由Si 的3p 态
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