氧化锆晶界的设计氧化物陶瓷晶界的设计探索.pdfVIP

．， 目 竹 誊 (E 辑) SCIENCEIN CHINA (SeaiesEJ 1996年 2月 第 26卷 第 l期 )(7一 ／ ， 氧化锆 晶界设计 氧化物陶瓷晶界设计探索 郭 新 袁润章 T＆，7 ． g- (汉I业太 石 ： 目家重点实验室．武汉 43~70) 摘要 从晶界空间电荷层厦晶界相两方面分析 了丑0 的晶界设计 问题，并指出降 低 晶界空间电荷层 电阻可 以通过具有有效正电荷的添加剂在晶界空间电荷层中的偏 聚而实现，而降低晶界相 电阻可通过减少 晶界相数量，改变晶界相形态及形成高导 电哇·晶界相而实现 ．最佳 的晶界设计效果，可通过晶界空间电荷层及 晶界相 的联台设 传感器、氧泵、高温燃料 电池、电解电池、加热元件 ．MHD 电极及气 体热力学测量中．其中， ZrO，最重要的两个应用领域是氧传感器及高温燃料 电池 ，而高温燃料 电池被严东生先生认为 是当今无机材料发展的前沿领域之一 ”．在 以上应用中，丘o，大多以多晶烧结体的形式存 在 ，而且一般要求 ZrO，具有很高 的氧离子导电性 ． 对于多晶陶瓷材料而言，晶界作为显微结构的一个组成部分 ，对材料性能常常起着关键影 响，充分利用 晶界效应是新型陶瓷材料发展方 向之一 ．所 以，材料界提 出了 晶界工程 的概 念 ，即通过改变晶界状态来提高整个材料的性能11]．实施 晶界工程首先要进行 晶界设计 ”． 作者在本文中对7_,iO，的晶界设计提出了一个基本构想 ．该 晶界设计 的 目的在于提高材料 的离子导电性，即降低晶界电阻． 陶瓷晶界严格来说可进一步分为晶界空间电荷层及晶界面两部分，在有杂质的情况下，晶 界析出相也成为晶界的一个组成部分．因此，晶界电阻R 可表示为晶界空问电荷层电阻 j、晶井面电阻R 和晶界相电阻J 之和，即 ＼ R曲=R +尽 +R ． (1) 一 般情况下，晶界面上 的缺 陷浓度很高，而且缺 陷在晶界面上迁移率也很大，因此 ，有 R 《R ， 且 R j ，那么 (1)式变为 R ≈R +R (2) (2)式表 明要降低晶界电阻应从降低 R。及 R 两方面着手．由于 Y 稳定 的 ZT02(Ysz)是 1995—05—24收稿 U 严东生 ．1994年秋季 中国材料研讨会大会报告．1994年 l1月．北京 中 国 科 学 (E 辑) 第 26卷 最常用的一种 ZrO：材料，本文将 以Ysz为例进行分析 ．另外，在本文中统一使用KrSger—Vink 符号体系表示各种缺陷． l 晶界空间电荷层设计 1．1 YSZ晶界空间电荷层电阻的物理本质 为 了分析 YSZ晶界空间电荷层 电阻的物理本质，首先要分析 YSZ的晶界空间电荷层 电 势 ．为此 ，假设：(1)Y20 加人量满足稀溶体 的要求 ， (2)晶界厚度远小于 晶粒尺寸 ， (3)溶质 在 晶界 的偏聚不会显著地改变晶内溶质浓度 ．YSZ中的主要缺 陷是 W 。，它产生于 下缺 陷反应 ： I(203— 2Y + 。+3 ． (3) 与 相 比，其他本征缺 陷的浓度可忽略不计 ．当把 。和Y 引入一个完整 晶体后 ，该 晶 体的 自由能变为 广 厂 1 ] F I(ixIn~(X)Fo+，o。 +÷p )∽ l_丁 ． (4) Jo L