Far-infrared absorption studies of Be acceptors in δ-doped GaAsAlAs multiple quantum wells.pdfVIP

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2017-09-03 发布于湖北
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2006V01．49No．6 702 ScienceinChinaSeriesGj 702—708 Physics．Mechanics＆Astronomy Far·-infrared studiesofBe absorption In lAS sretptors。pecca0-doped“dopedsAaG aAs／～AlAs wells multiplequantum ZHENG Of at 1．DeDartment Weihai，Weihai264209，China； AppliedPhysics，ShandongUniversity 2．SchooIof and of M601QD，U．K．： PhysicsAstronomy,theUniversityManchester,Manchester 3．SchooIofElectronicandElectrical of 9J Leeds，LS2T，U．K．： Engineering，University 4．EPSRCIII-VSemicOnductorCentraI ofElectronicandElectdcal FacilitY,Department ofSheffield．S13JD．U．K． versity be to Correspondenceshouldaddressed Zheng Received December ApriI24，2005；accepted27，2005 AbstractWe afar．infrared ofinternaltransitionsofshallowBe report absorptionstudy inbothbulkGaAsandaseriesof GaAs／AIAs welI acceptors 6一doped multiplequantum withwell of20．15and10nm．Low far—infrared samples thicknesses temperatureabsorp- showthree IinesduetotransitionsofBe- tionmeasurements clearly principalabsorption statesfromthe statetothefirstthree excited acceptor ground odd-parity ava