Al%2fCuO多层含能桥膜的制备与电爆特性研究.pdfVIP

硕l：论文 AI／CuO多层含能桥膜的制备’孑电爆特件研究 摘 要 本文采用磁控溅射法制备了三种结构的A1-CuO复合薄膜，分别为CuO-A1两层膜、 并分别测试三种复合薄膜的电爆特性。 扫描电子显微镜(SEM)对多层薄膜表面及断面进行形貌的观察表明薄膜表面颗粒 直径随着薄膜层数的增加逐渐增大，Al膜晶粒呈放射状向外生长，CuO膜晶粒以层状 模式生长，膜层厚度增长均匀，多层膜有明显层间结构；原子力显微镜(AFM)对薄膜 表面苄H糙度分析表明薄膜表面平整、粗糙度不超过Inm；电子能谱(EDS)分析表明多 层薄膜成分纯净，杂质只有空气中吸附的C元素，薄膜纯度超过90％；X射线衍射(XRD) 对CuO—A1二层复合膜分析表明CuO膜会使Al膜的X衍射角(20)发生2．5。的偏移； 反应引起的放热峰。 对三种复合薄膜的电爆试验，分析伏安特性曲线和温度特性曲线表明随着薄膜层 数的增加，桥膜的放热量逐渐提高，四层桥膜的最高温能达到近1万度；通电电压对 复合薄膜的电爆性能影响较大，偏大或偏小都会影响化学反应的发生，本文所制备的 二层薄膜的最佳通电电压为40V。 关键词：A1一CuO，多层复合膜， 纳米含能材料， 微观结构，电爆性能。 Abstract 硕}：论文 Abstract wereusedtofabricatethreekindsofA1一CuO thin Magnetronsputtering compositefilms， wereCuO-AItwo three four they layers，CuO-AI·CuOlayers，CuO-A1-CuO—AI layers． thermal and were Respectively,characterization，elementalresearched，and analysis analysis alsotheelectrical characteristicsofthe weremeasured． explosion films Theobservationof onthesurfacecross morphology and sectionofthe multilayerfilm， Electron that using the diameterofthethin Scanning Microscopy(SEM)，showedparticle film increasedwiththefilm the ofA1film layers increasing，andgrain grewradially CuOin of model．Thethicknessfilmisuniformand outward，andlayered