UV-MLFMA与插值方法快速分析复杂目标电磁特性.pdf

硕士论文 UV-MLFMA与插值方法快速分析复杂目标电磁特性 摘 要 随着计算电磁学和计算机技术的不断发展，复杂电大尺寸目标的电磁特性的分析显 得越来越迫切，快速分析电大尺寸目标和各种复杂结构的雷达散射截面(RCS)有着重要 的意义。同时日益深入发展的地球遥感探测、矿藏勘探等也迫切的要求分析半空间环境 下的目标电磁散射计算，由此人们也提出了目标与环境的一体化建模，这给通信和对地 目标探测带来了新的发展契机。 本文首先研究了自由空间中金属目标的散射问题，针对快速多极子方法遇到的低频 问题，提出了采用UV-MLFMA混合方法，我们引入了中间区的思想，中间区即在原矩 量法作用区域中分离出一部分区域，采用UV方法来计算，远场作用区仍然采用快速多 极子来计算，使得计算过程中计算时间和内存的消耗大大降低。同时将该方法引入到分 析舰载、车载天线系统的辐射问题中，分析计算时间大为缩短，同时内存需求也大为减 少。 本文还进一步将UV-MLFMA方法应用到分析有耗半空间上方金属目标的散射问题 中，基于实镜像技术的多层快速多极子近场格林函数值变化比较剧烈，实镜像方法会出 现很大的误差，一般采取增大最细层组的尺寸，在较远的区域拟合格林函数来减小拟合 带来的误差，然而这又将导致近场区的扩大，内存增加和计算量增大等问题。本文采用 UV-MLFMA方法，同样引入了中间区的思想，使得分析过程中计算时间和内存需求大 为减少，提高了计算效率。 以上所述的方法虽然单频点计算时提高了算法的计算效率，但是对于目标的宽频带 特性，需要每次填充和求解线性方程组，消耗大量的时间。所以本文还介绍了基于物理 参数模型估计的Active Learning方法和MBPE方法，采用ActiveLearning方法对三维导体 目标的频空二维散射特性进行插值分析，实现了快速扫频扫角。同时将MBPE方法应用 到近场阻抗矩阵和MSA／预条件矩阵的插值构造中，快速分析了微带电路频率响应和超 宽带天线的辐射特性。 关键词：快速多极子，多层UV方法，UV-MLFMA，半空间，Active Learning，参数 模型估计(MBPE) Abstract 硕士论文 Abstract and ofthe Withthe ofCEM development computertechnology,Theanalysis andradiationof3D haveattractedmuchmore electromagneticscattering complextargets attentionin thesametimeremote and engineeringapplications．At sensingtarget identificationaredemandedtothe halfspaceresearching． is tosolvethedifficultiesMLFMAtothe TheUV-MLFMA whenthe applied proposed multiscale UV-MLFMAisbasedonthemultilevelUVmethodand problems．The ML