TEM样品制备中离子束对样品的损伤分析.pdfVIP

维普资讯 第 18卷 第 2期 计 算 机 技 术 与 发 展 VLJ1．18 N )‘．2 2008年 2月 COMPUTER TECFIN0I』X YANr)l】E、，E 【JOPMENq、 Fc1)． 2008 TEM样品制备中离子束对样品的损伤分析 褚维群 2，郭 炜 (L．上海交通大学微 电子学院，上海 200030； 2．上海贝尔阿尔卡特有限公司，上海 201206) 摘 要：针对TEM样品制备过程中离子束对样品的损伤所产生的 “非晶化”影响进行分析和研究。在总结已有成果的基 础上，得到一些新的突破：通过可信、简便的制样方法，可以直接观察到 “非晶层”；可以量测聚焦离子束制备的可供TEM 分析的 IC硅衬底样品的极限厚度。通过一系列 自主设计的实验 ，得到如下结果：离子束的能量对 “非晶层”厚度的影像非 常大 ；“非晶层”的厚度与切割时离子束的加速电压有关 ，与离子束电流及入射角度等基本无关。 关键词：1EM样品制备 ；非晶化；聚焦离子束 中图分类号：TN405．985 文献标识码：A 文章编号：1673—629X(2008)02—0223—03 AnalysisforSamplebyFIB inTEM CHU W ei—qunl一 GUO W eil ． (1．MicroelectronicSchool，ShanghaiJiaotongUniversity，Shanghai200030，China； 2．AlcatelShanghaiBellCo．，Ltd．，Shanghai201206，China) Abstract：Ithasbeenreportedthatasamplepreparedbyionbeammillinghasasandwichstructurewithamorphousofttwosidewallsand crystalinthemiddle．Inthispaper，thesandwichstmct~eofsuch asing lecrystalTEM sampleWas studiedexpe rimentally．A novel methodWaSinventedtopreparethesample，whichfacilitatesthedirectobservationofamorphouslayersonthesidewal1．Anotherfabrica tionprocesswerealsoreported．Thesandwichstructurecarlbeobservde dircetlyinTEM withthissample．Getresultsviaaseriesofpre— eiesnessandconvenientexperiments． Pionbeam energyisthedominantfactorthataffcetsthedamagedlayerthickness．届Pdarrl~ge layre thicknessis~ tnatwithdiffreentbeam currentsnadthesampletiltangle．Buttheionbeam accelreationvoltageaffcetsit． Keywords：TEM samplepreparation；an10rphous；focusionbeam O 引 言 和限制