射频电路专题实验 实验六 低噪声放大器设计.pptVIP

Xian Jiaotong University 实验六 低噪声放大器的设计、仿真与测试 基本理论 基本理论 低噪放的主要技术指标 低噪放的主要技术指标 例子 晶体管直流工作点扫描 启动软件后File ? New Project建立新的工程文件，打开原理图设计窗口。 晶体管直流工作点扫描 选择File ? New Desig进入下面的对话框 在“Schematic Design Templates”下面选择DC_FET_T，在上面给新建的Design命名，这里命名为FETcurve，然后单击【OK】。 晶体管直流工作点扫描 在新的Design中，会有系统预先设置好的组件和控件，如下图 晶体管直流工作点扫描 如何在Design中加入晶体管 点击 ，打开元件库 晶体管直流工作点扫描 查询需要的晶体管 晶体管直流工作点扫描 对34143的查询结果如右，可以看到里面有这种晶体管的不同的模型 以sp为开头的是S参数模型，这种模型不能用来做直流工作点的扫描 切换到Design窗口，再选择ph开头的模型，将晶体管拖入原理图窗口，放入晶体管，按Esc键终止当前操作。 晶体管直流工作点扫描 按照下图所示接入晶体管和地，连线按键为 ，注意确认线完全接好。 晶体管直流工作点扫描 按Simulate键 ，开始仿真，这时会弹出一个窗口，该窗口会现实仿真或者优化的过程信息。如果出现错误，里面会给出出错信息，应该注意查看。 晶体管直流工作点扫描 仿真结束，弹出结果窗口，如下页图。注意关闭的时候要保存为适宜的名字。另外图中的Marker是可以用鼠标拖动的。由于采用的是ADS的设计模板，所以这里的数据显示都已经设置好了。一般情况下，数据的显示需要人为自行设置。 晶体管直流工作点扫描 典型仿真结果图 晶体管直流工作点扫描 实际上，模板中预设的扫描参数通常和需要的并不一致，需要在Design窗口的原理图上进行修改。 在本例中，可以适当调整扫描参数，然后仿真，在结果曲线上选择合适的直流工作点，获得相应的直流偏置电压（或电流）值。 晶体管S参数扫描 选定晶体管的直流工作点后，可以进行晶体管的S参数扫描，本节中选用的是S参数模型 。 下面给出进行S参数扫描的具体操作。 晶体管S参数扫描 选择File ? New Design…进入下面的对话框，在下面选择S-Params，在上面命名，为sp_model。 晶体管S参数扫描 然后新的Design文件生成，窗口如下 晶体管S参数扫描 加入sp模型的晶体管，并连接电路如图。地的设置按上面的 键即可调入。图中的Term也是在仿真中要经常用到的组件，用以表示连接特征阻抗的端口。 晶体管S参数扫描 由于sp模型本身已经对应于一个确定的直流工作点，因此在做S参数扫描的时候无需加入直流偏置。 观察sp模型晶体管的参数显示，在此例中，标定的频率适用范围为0.5~10GHz，在仿真的时候要注意。超出此范围，虽然软件可以根据插值等方法外推除电路的特性，但是由于模型已经失效，得到的数据通常是不可置信的。 在本例中，要在 控件中作相应的修改。 晶体管S参数扫描 在控件中修改参数如下： 晶体管S参数扫描 数据输出窗口如图所示，图中以不同形式显示输出S参数。 如图可见，晶体管的输入匹配并不好 晶体管S参数扫描 加入噪声系数的仿真：回到Design窗口，双击