深亚微米薄层SOIMOSFET’s热载流子效应分析.pdfVIP

　第 19 卷第 4 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 4　 V o l N o 　1998 年 4 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A p r 深亚微米薄层 ’ SO I MO SFET s 热载流子效应分析 曹建民　吴传良　沈文正　黄　敞 ( 西安微电子技术研究所　临潼　710600) 摘要　本文从二维模拟热载流子注入电流入手, 讨论了不同硅层厚度、栅氧厚度和掺杂浓度对 薄层深亚微米 ’热载流子效应的影响. 模拟结果表明, 对于不同的硅层厚度, SO I M O SFET s 沟道前表面漏结处的载流子浓度对热载流子效应起着不同的作用, 有时甚至是决定性的作用. 沟道前表面漏结处的载流子浓度和沟道最大电场一样, 是影响薄层 ’热载流 SO I M O SFET s 子效应的重要因素, 这也就解释了以往文献中, 随着硅层减薄, 沟道电场增大, 热载流子效应反 ( ) 而减小的矛盾. 模拟也显示了在一定的硅层厚度变化范围内 60～ 100 , 器件热载流子效应 nm 达到最小值, 而且在这一硅层范围内, 热载流子效应对硅层厚度、栅氧厚度以及掺杂浓度的变 化不敏感, 这对高性能深亚微米薄层 ’设计具有重要的指导意义. SO I M O SFET s : 0170 , 2560 EEACC N R 1　引言 随着超大规模集成电路的不断发展, 对微电子器件和电路的性能提出了越来越高的要 求. 为了获得高速度、低功耗、高可靠性的大规模集成电路, 以满足卫星、通讯、高速信号处理 等系统的迫切需要, 集成电路必须朝着亚微米、深亚微米方向发展. 当栅长减小到亚微米、深 亚微米量级时, 器件沟道内的电场明显增强, 产生了一系列材料、器件物理及设计和工艺方 面的新问题. 不断采用新型器件结构和材料, 以解决尺寸缩小以后带来的新问题. 对这些新 型器件、特别是亚微米、深亚微米新器件的器件物理及工作机理的模拟分析和预言就显出其 重要意义. 薄层全耗尽 ’具有高的饱和电流, 抑制了 效应, 以及优秀的亚阈 SO I M O SFET s k ink 值特性等优点, 因此它特别适合应用于小尺寸器件或电路. 然而当涉及到器件的稳定性, 或 [ 1～ 5 ] 器件热载流子效应的问题, 以前的文献报道和工作出现了许多相反的结论 .