复合材料的复合原理及界面.ppt

第一章 概论 1.1 复合材料的定义 1.2 复合材料的命名 1.3 复合材料的分类 1.4 复合材料的组成 1.5 复合材料的基本性能 1.6 复合材料发展概况 思考题 在给定基体材料和增强材料的前提下，如何才能获得优异性能的复合材料，试举一例说明。 2.2 弥散增强及颗粒增强原理 弥散增强原理（弥散颗粒与基体复合） 颗粒增强原理（较大颗粒与基体复合） 弥散强化 奥罗万机制（位错绕过机制）： 使位错线弯曲到曲率半径为R时，所需的切应力为τ=Gb/（2R）。 设颗粒间距为D，则τ=Gb/D，所以Rmin=D/2。 只有当外力大于Gb/D时，位错线才能绕过颗粒。 位错绕过第二相粒子的机制 颗粒尺寸越小，体积分数越高，强化效果越好。 一般颗粒的体积分数为1%~15%，颗粒直径为0.001~0.1μm。 位错概念引入及位错观察 30年代，在研究晶体滑移时，发现理论屈服强度和实际强度间有巨大差异，为了解释这种差异，人们设想晶体中存在某种缺陷。形变就在这种局部缺陷处发生。 晶体结构——规则的完整排列是主要的，非完整排列则是次要的。 晶体力学性能——晶体的非完整性是主要的，完整性处于次要地位。 矛盾之一： 原子由一个平衡位置滑到下一个平衡位置需要G/2的应力，而在通常受力条件下，是难达到的，即晶体难于滑动。 而实际上，τ＝（10－3～ 10－4）G。 矛盾之二： 设想原子滑移时的切应力是周期性变化，并假定为刚性球。 x很小时为弹性变形，sin2πx/a≈2πx/a。 若假定原子不是刚性的，而是可压缩的，则 引入位错概念 由上面的理论和实际的差别，可见规则整体刚性滑移模型是不切合实际的。 设想晶体具有不完整性，则可以引入位错概念： 1）缺陷运动符合滑移特征。 2）缺陷是易动的，但不如点缺陷那样易热激活。 3）说明这种缺陷的来源和增殖。 实际上，有许多方法可观察到位错：透射电镜、浸蚀法、缀饰法、X射线衍射法、场离子显微镜等。 位错分为两类：刃型位错和螺型位错，由滑移区与未滑移区的分界线来确定类型。 刃型位错 如图：上半部分相对下半部分沿ABCD滑移了一个原子间距，多余的半原子面与滑移面交线即为刃型位错。 多余的半原子面不一定是平面，可以是见曲面。但位错线是一定垂直于滑移方向的，这是刃型位错的特征之一。 刃型位错示意图(可分为正负刃型位错) 刃型位错正负的判定 刃型位错中柏氏矢量与位错线垂直。正刃型位错：出纸面的方向为位错线的正向，用右手螺旋法则确定回路方向，拇指——位错线方向；四指——柏氏矢量回路方向。 半原子面的下部相当于刀刃，刃口的交界线称为刃型位错，是已滑移区和未滑移区的分界线。 畸变量左右对称，但并不是一条线，而是一个细长管道。 位错线与滑移方向相垂直。 一简单立方晶体，受切应力作用，右侧上下两部分原子沿滑移面ABCD滑移，滑移区与未滑移区的分界线即为螺型位错。 位错线平行于滑移方向，可分为左螺型位错和右螺型位错。 位错线周围存在畸变，实际上是一个管道。 螺型位错示意图 混合位错 实际中的位错一般来说很少是单纯的刃型位错或是螺型位错，更普遍的是其混合产物——混合位错。 混合位错的滑移矢量不平行也不垂直位错线，而是与位错线成任意角度。 位错的强度——柏氏矢量的确定 1939年，柏格斯(J.M.Burgers)采用一个矢量来提示位错的本质并描述位错的各种行为——称为柏氏矢量。 在实际晶体中，从任一原子出发，围绕位错(避开位错线)，以一定的步数作闭合回路(柏氏回路、逆时针)；在完整晶体中按同样方向和步数作相同回路；再自完整晶体中回路终点向始点引一矢量使回路闭合，该矢量就是实际晶体中位错的柏矢矢量 。 柏氏矢量示意图——刃型位错 柏氏矢量示意图——螺型位错 位错柏氏氏量和位错线的关系 在切应力作用下混合位错的产生(a)及其原子错排结构(b) 位错的性质 已滑移区与未滑移区的边界线就是位错线。 位错线不能终止于晶体内部，只能露头于晶体表面(包括晶界)，或与其它位错线相连接、或自成封闭线。 柏氏矢量与位错线垂直的位错是刃型位错，分为正、负刃型位错。 柏氏矢量与位错线平行的位错是螺型位错，分为左、右旋螺位错。 切割机制：适用于第二相粒子较软并与基体共格的情形。 思考题： 1、复合材料制备方法的选择要遵循哪些原则? (增强材料损伤小、分布可控、发挥性能优势、性能/价格比低） 2、弥散强化是如何实现的？ （弥散颗粒对位错的钉扎） 颗粒增强原理 颗粒增强复合材料是由尺寸较大（直径大于1μm）颗粒与基体复合而成，增强原理与弥散增强原理有明显区别。 此时，载荷主要由基体承担，但增强颗粒也承受载荷并约束基体的变形，颗粒阻止基体位错运动的能力越大，增强效果越好。 颗粒尺寸越小，体积分数越高，颗粒对复合材料的增强效果越好。 一般颗粒直径为1~50μm，颗