纳米结构电子性质(基础知识补充材料).ppt

双结的I－V曲线，实线为q0＝0，虚线为q0＝0.5e 两个隧道结透射率接近, 电子的空间关联隧道穿透(space-correlated tunneling of electrons): 当第一个电子进入“岛”后，几乎同时有一个电子离开“岛” 经过一段时间后，另一个电子通过第二个结离开岛，几乎同时将有一个电子通过第一个结，进入“岛内”，使“岛”上保持电中性 1 如果两个隧道结的穿透率差别很大，例如： 通过第一个结进入“岛”的载流子由于第二个结的电阻很大，不能立即离开“岛”。 由于加上足够高的偏压，载流子最后还是会隧穿离开“岛”，并很快导致另一个电子通过第一个结进入“岛”。因此，其间的大部分时间中“岛”净带有一个基本电荷。 当偏压增大，将会有更多的电子在大部分时间留在“岛”上。 2 CL Vg Cg 为有效控制岛上电荷，通过小电容Cg由栅电压Vg向单电子岛注入电荷q0，形成三极管式电路 单电子岛的库仑能为： n为整数，ne为与隧穿事件联系的电荷数。CS为： CS＝C1＋C2＋Cg U随q0的变化：(ec=e2/2CS) 为一组抛物线，每条与一个固定的n对应。 相邻的两条沿q0轴相对位移e，单电子隧穿导致n的变化，n→n+1, 总电荷为|q|=|ne+q0|≦e/2时，库仑能出现最低， 即：单电子岛的库仑能以e为周期随q0变化。 出现周期为e的隧穿电流 电流的峰值与半整数q0/e对应。 粒子内部的光强将改变一个因子F 存在使局域场获得最大增强的共振。导致显著的非线形光学响应。 准一维系统的电子结构 求解薛定锷方程： 采用有效质量近似，本征函数可写为： 对于限制势，在x和z方向取最简单的模型：矩形方势阱。当势垒高为无限时，x方向和z方向的势可分离，则本征值为： 态密度为： 态密度显示出平方根倒数的奇异性，给出准一维特性的标志峰。 3. 库仑阻塞与单电子隧穿 Coulomb blockage 库仑阻塞是前一个电子对后一个电子的库仑排斥能，这导致对一个小体系的充放电过程，电子不能集体传输，而是一个一个单电子的传输。充入一个电子所需的能量Ec为e2/2C, C为小体系的电容，体系越小，C越小，Ec越大。 当微粒尺寸非常小时，由于静电能的变化远大于kBT，导致电荷的改变非常困难。 单电子学 single electronics: control the movement and position of a single or small number of electrons Bulk： conductor： 电子自由地通过点阵，电流由流过导体的电荷给出，这些电荷可以是任何数值，包括电子电荷的某个分数，因此电荷是连续的，非量子化的 电子云相对于晶格原子的偏移，这种移动可以是连续的，因此传输的电荷是一个连续的量。 常规导体为一隧道结所隔断。 电子流过该系统的运动包括： 在常规导体部分的连续过程 在隧道结中的分立过程 电子通过隧道穿透通过隧道结，只能是一个一个分立(整数)电荷进行隧道穿透。 电荷首先在与绝缘层相接的电极表面积聚，直到在隧道界的两边建立起足够高的偏压以后，使一个电子具有足够高的几率发生隧道穿透，传输一个基本电荷通过隧道界 ——单电子放电 Metal Insulator Metal e- MIM结 当电子从极板1隧穿到极板2时： 极板1的电荷增加e，结电压改变 DV＝e/C 静电能增加 ec＝e2/2C 电容器的充电能 通常尺度下: DV～10-9VkBT/e 纳米尺度： Ec/kB＝e2/2C/ kB~1K 库仑阻塞 电流偏置隧道结：库仑振荡Coulomb oscillations 单个隧道结与恒流源构成闭合回路，回路中将出现频率为f=I/e的电流振荡，称为Coulomb oscillations 电子盒electron box: 金属粒子的一端与隧道结相连，电子可以通过隧道穿透进入或离开此端。 系统与一电压源连接。金属粒子上可以充入确定数目的电子。 典型系统：嵌埋于氧化物中的金属颗粒 上层的氧化层足够薄使电子能够隧道穿透。 为使一个电子能够传输到金属颗粒上，需要库仑能Ec=e2/2C。 C为金属粒子的电容。 忽略热能及其它能量，仅考虑偏置电压Vb 当Vb阈值Vth=e/C, 因为没有足够的能量使金属粒子充电，无电子可以隧穿——库仑阻塞 增加Vb，金属粒子上将依此充上一个电子、两个电子、三个电子….. 形成库仑台阶。 库仑振荡和库仑阻塞现象发生的两个条件： （1）热涨落的影响要小： 即 结足够小，工作温度足够低，对隧道结而言，充电能起主要作用。 在液氮温度，要求电容C12nF，在室温要求C3nF