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维普资讯 第 12卷 第 5期 红 外 与 毫米 波 学报 Vol_l2．No．5 1993年 lO月 J．Infrared M illim W aves October．1993 Pt／si界面反应与肖特基势垒形成的研究 一 丁孙安 振嘉 年 t f中国科学院半导体研究所，表面物理国家重点实验室，北京t 100083) 摘要 ：利用俄歇 电子能谱、二次离子质谱 、深能级瞬态谱 (DLTS)和C 法 等电学测量方法，详细研究了Pt／Si和Pt硅化物／si界面的反应性质、原子 结构及杂质 ／缺陷的分布，讨论 了它们对 肖特基势垒的形成、势垒特性和势 垒高度的影响． 1， 关键词 ： 界面反应， 肖特基势垒， 绲