高碳CZ硅中氧沉淀两种成核长大机制.pdfVIP

第 26 卷 　第 5 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 5 2005 年 5 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　May ,2005 高碳 CZ 硅中氧沉淀的两种成核长大机制 刘培东 　姜益群 　黄笑容 　沈益军 　李立本 　阙端麟 (浙江大学硅材料国家重点实验室 , 浙大海纳科技股份有限公司 , 杭州 　3 10027) 摘要 : 应用红外光谱 、高分辨透射电镜研究了高碳 CZ 硅中的氧沉淀. 实验表明:高碳样品中有两种成核长大机制 形成的氧沉淀 ,一是多碳 中心的异质成核长大的氧沉淀 , 碳原子 同时参与氧沉淀的成核和长大 , 红外光谱上 1230cm - 1 处无氧沉淀的特征峰 , T EM 观察这种氧沉淀是 10～30nm 高密度的球状小沉淀 ;另一种氧沉淀类似于低 碳样品中均匀成核长大的氧沉淀 ,它在红外光谱上 1230cm - 1 处有吸收峰 ,