一种低成本高精度CMOS基准电压源设计.pdfVIP

下载本文档

3
0
约 4页
2017-09-02 发布于重庆
举报
版权申诉

一种低成本高精度CMOS基准电压源设计.pdf

1、本文档共4页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

27 5 Vol. 27 No. 5 2010 5 M ICROELECTRONICS COMPUTER May 2010 CMOS 肖海鹏, 马卓, 张民选, 张正旭 ( , 41007 ) : 利用电子迁移率和MOS 管阈值电压对温度的变化呈反向势的原理, 基于0. 1 Lm 标准CMOS 工艺, 设计实现了一款非带隙的基准源电路. Hspice 仿真显示该基准能提供 0. 715V 基准输出, 并可以根据需要在0.4V~ 1V 范围内进行调节. 在- 25e ~ 125 e 范围内, 温度系数为21. 6ppm, 在25 e 时输出基准线性度为012 7% . : CMOS 基准电压源; 阈值电压; 电子迁移率 : TN4 : A : 1000- 7180( 2010) 05- 0121- 04 Design of a High Accuracy CMOS Voltage Reference with Low Cost XIAO Ha-i peng, MA Zhuo, ZHANG Min-xuan, ZHANG Zheng-xu ( School of Computer Science, National University of Defense Technology, Changsha 41007 , China) Abstract: In this paper a non- bandgap voltage reference w as designed in a standard 0. 1 Lm CMOS technology , based on element that electron mobility and threshold voltage have opposite temperature coefficients. The simulation results us- ing by Hspice show that the output of proposed voltage reference is 0. 715V and it can be adjusted from 0. 4V to 1V. Within t he temperature range from - 25 e to 125 e , a temperature coefficient of 21. 6 ppm/ e is achieved, and the line regulation at 25 e is 0. 2 7%/ V. Key words: CMOS voltage reference; t hreshold voltage; electron mobility , , 1 , . ( Voltage Reference) , . , PN BJT, A/ DD/A IC . M OS CMOS . CMOS . , , , , , . [ 1-2] . 0. 1 Lm , PN , , . - 2 CMOS , , . , , , . CMOS