半绝缘InP深能级缺陷、电学补偿及电学性质与研究.pdfVIP

半绝缘InP的深能级缺陷、电学补偿及电学性质的研究 凝聚态物理专业 研究生杨俊 导师邓爱红 InP材料中深能级缺陷的属性和产生原因，并讨论了缺陷对半绝缘InP电学性 质的影响。对比研究原生掺铁和非掺退火两种半绝缘磷化铟材料发现，在原生 掺铁半绝缘InP材料的迁移率较低，缺陷较多，而非掺退火特别是磷化铁(IP) 气氛下退火的半绝缘InP材料迁移率很高，缺陷很少。在此基础上揭示了磷化 铟材料中一些缺陷的结构属性和形成机理。根据掌握的这一缺陷的形成机理， 我们可以通过控制生长条件和后续的处理工艺，制备出缺陷浓度很低、电学性 能参数优良的半绝缘磷化铟材料； 根据热激电流谱(TSC)测得的结果，分析了原生掺铁和非掺退火两种半绝 缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响。在掺铁半绝缘InP材料中由于存 在高浓度的深能级缺陷参与电学补偿，降低了材料的电学性能。相比之下，非 掺退火半绝缘InP材料中深能级缺陷浓度很低，通过扩散掺入的铁受主作为唯 一的补偿中心钉扎费米能级，因而表现出优异的电学性质． 对各种条件下制备的半绝缘hip材料中的深能级缺陷进行了分析和讨论， 得出了一致性的结论：P气氛下退火的hip材料中的化学配比趋向富磷，产生 的深能级缺陷的数量和浓度高，降低了材料的电学性质：而在FeP2气氛下退火 处理得到的LnP材料，材料中缺陷的数量和浓度均很低，产生了明显的缺陷抑 制现象。这样的磷化铟材料具有优越的电学性质。 关键词：InP、半绝缘、缺陷、电学补偿 and of leveldefects Abstract：Deep propertysemi—insulating studied Halleffectmeasurementand StimulatedCurrent been byusing Thermally formationmechanismofthedefectsandtheir and spectroscopy(TSC)．Nature influenceontheelectrical oftheSI—InPhavebeen a property andannealed found comparativestudy∞as-grownFe-doped undopedSI-InP,we defects low SI-InP concen订ationof exhibits that舾一grownFe-dopedcontaininghigh obtained and thermal SI-InP contrast，the mobilitypoor stability．In byannealing InP has andlow underiron highmobility undoped phosphorus(IP)atmosphere and mechanismofsomedefectshave concentrationof formation