H在MgH2表面的吸附研究.pdfVIP

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28卷专辑 中 国 稀 土 学 报 20lo年4月 V01.28 JoURNALOFTHECHINESERAREEARTHSOCIETY Spec.Issue Apr.2010 H在MgH2表面的吸附研究 吴广新1,张捷宇卜,李谦1,周国治1’2 (1.上海大学材料科学与工程学院,上海200072;2.北京科技大学理化系,北京100083) Elastic 擅要:采用基于密度泛函的第一性原理方法,同时结合NudgedBand方法,研究了H2分子和H原子在MgH2表面的解离 果显示,吸氢反应过程中,解离和体内扩散最可能发生在(001)表面,与H向Mg体内的扩散相比,很明显,H原子在氢化层中 的扩散更为耗时。 关键词。第一性原理;势能面;解离 中圈分类号:0647文献标识码:A文章编号:1000-4343(20lo)-0306-07 储氢合金领域内,镁基合金具有储氢量大、质 针对镁基合金的吸氢机制(图1),可以看到,吸 量轻、价格低以及资源丰富等优点,吸引了许多研 氢时,初始阶段,反应物主要是Mg颗粒,H2分子 究者的关注【l】。但其吸放氢速度较慢、表面容易形 的解离主要发生在Mg界面处,解离后的H原子通 成致密的钝化层、氢化物稳定导致释氢温度过高等 过Mg表面向体内进行扩散;随着反应的进行, 缺点,限制了它的实用化进程『2】。其原因为在纯Mg MgH2产物层逐渐产生并包裹Mg颗粒,此时H2分 吸附氢的初始阶段,限制性环节是H2分子的化学吸 子的解离主要发生在MgH2表面,解离后的H原子 附而非H原子的扩散【3】;随着H原子的扩散, 通过MgH2表面扩散进入体内;随着MgH2产物层 Mg(0001)表面形成了氢化物层,限制了H原子的进的增厚,此时H2分子的解离仍然主要发生在MgH2 一步扩散,成为新的速率限制环节【2】。 表面,解离后的H原子通过较厚的MgH2表面扩散 目前,人们针对Mg的吸放氢过程进行了大量 进入体内;最终形成完全的MgH2产物。因此对于 的实验和理论研究。其中,Plummer等附】采用能量微观计算而言,需要考虑两个计算模型,第一个为 损失谱和热力学脱附光谱研究了H2分子、H原子与 吸附初期,H2分子在Mg表面的解离,及H原子后 Mg的相互作用。Topler等【6l利用中予衍射手段发现续的扩散;第二个为吸附中后期,H2分子在MgH2 350 表面的解离及H原子后续的扩散。 K下MgH2中H原子的扩散速率比纯Mg中H 原子的扩散速率小3个数量级。Norskov等【.7】采用从 结合前述的文献综述和吸氢反应机制,我们发 头计算的方法研究了H2分子在Mg(0001)表面的吸现:H2分子在MgH2表面解离吸附方面的研究未见 报道,而吸氢后期对于整个反应的影响较大,因此 附和解离后发现表面存在化学吸附。Vegge等181对 H2分子的解离和H原子的扩散进行了详细的研究。 此部分的研究具有现实意义。在本文中,采用基于 Johansson掣州采用离子散射光谱、x射线光电谱密度泛函的第一性原理方法,通过考察H2分子在 和升温化学吸附仪等手段研究了H2在Mg清洁和 MgH2表面的吸附性质,探讨Mg基储氢材料吸放 掺杂表面的解离吸附过程。本人在前期工作中flo】, 氢过程中可能的限制性环节,并为进一步的实验提 供相应的微观机理和理论数据。 完整的获得了H在洁净Mg(0001)表面的解离、扩 散过程。 收藕日期:2009—10-22;●订日期:2009一11-02 资助 作者俺介:吴广新。男,博士;研究方向:储氢材料 ·■讯联系人(F-mail:zjy6162@staff.shu.edu.cn) 构型,厚度为084 1模型和方法

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