侧墙TEOS-SiO2薄层去除及重新淀积.pdfVIP

摘 要 在集成电路制造领域，晶体管是电路中应用最主要的器件之一，而它的自对 准源漏栅工艺是晶体管制造的关键。在小尺寸深亚微米技术中，轻掺杂源漏结构 (LDD)是MOS管的重要组成部分，其相关的侧墙工艺是影响晶体管功能是否有 效的关键。对于集成电路这种高度精密的细微加工的大生产，它的特点是工序长， 最多可达到上千道工序，所以成品率取决于每一道工艺的好坏；如何提高产品良 率将对经济效益具有巨大的影响，所以我们针对LDD这一段的关键工艺侧墙TEOS 进行了研究。 本论文“侧墙TEOS-SiO。薄层的去除及重新淀积”主要是针对8英寸0．18um 逻辑产品的多晶硅侧墙工艺来讲的，通过改进多晶硅侧墙的工艺来提高产品的良 率。在0．18um逻辑产品的技术里，侧墙通常有三层不同的结构即SiO：一SiN—SiO。 组成，其中第三层侧墙TEOS的厚度最大也最容易遭受尘埃微粒。当第三层侧墙 TEOS遭受到一定数量或体积的尘埃微粒沾污，且受影响的芯片单元达到一定百 分比时，整片晶圆就得报废，这对公司来说是一个不小的损失。所以我们的实验 主要是针对侧墙三TEOS来进行的。具体实验过程中，我们选用在淀积完侧墙三 TEOS后有大量尘埃微粒的晶圆，先用氢氟酸去除侧墙三TEOS，然后进行侧墙三 TEOS的重新淀积。当晶圆完成所有工艺流程后，在WAT①进行产品良率的测试。 一切检测数据都符合要求，则说明去除侧墙三TEOS并重新淀积侧墙三TEOS对产 品没有造成低的量率，也就是说“第三层侧墙TEOS—SiO。薄层的去除及重新淀积 的实验是成功的。 “侧墙TEOS-SiO。薄层的去除及重新淀积”的实验取得成功后，可应用到因 侧墙三TEOS遭到尘埃微粒而造成报废的晶圆，挽救因这一道工艺而造成的经济 损失；同时也可应用到那些在侧墙三TEOS的淀积过程中遭到少量尘埃微粒但又 未达到报废标准的晶圆，以改进侧墙三TE0s的工艺，改善器件的性能，并降低 潜在的风险，从而提高晶圆产品的良率。 关键词：侧墙，TEOS-SiO,，尘埃微粒。 中图分类号：047 Abstract Inthefabricationof transistorisbasic integratedcircuits(IC)，the its structureand formation device，andself—aligned process technology of and isthe ofIC source／drain the gate keypart manufacturing．Indeep sub—micronIC is technology，LightlyDopedDrain(LDD)structurecommonly used to theMOStransistor isthe improve performance．The gatespacer featuretoformthetransistorwithLDD key structure．ICfabrication and requiresprecisewellcontrolled is manufacturingprocess．It ofhundredsandeventhousandsof