基于析因实验设计的QFN热可靠性分析.pdfVIP

第9卷 ，第 12期 电 子 与 封 装 总 第80期 Vo1 9．NO 12 ELECTR0NICS PACKAG G 2009年 12月 擞 电 子，制 造 与 可 靠 性 基于析因实验设计的QFN热可靠性分析 牛利 刚 (桂林 电子科技大学机电工程学院，广西桂林 541004) 摘 要：在微 电子封装器件的生产或使用过程 中，由于封装材料热膨胀系数不匹配，不同材料的 交界处会产生热应力，热应力是导致微 电子封装器件失效的主要原因之一。文章采用MSC．Marc有 限元软件，分析 了QFN 器件在回流焊过程 中的热应力、翘曲变形、主应力及剪应力，并由析因实 验设计得到影响热应力的关键因素。研 究表明：在回流焊过程中，QFN 器件的最大热应力出现在 芯片与粘结剂接触面的边角处 ；主应力和剪切应 力的最大值也 出现在芯片与粘结剂连接 的角点处 ， 其值分别为21．42MPa和 一28．47MPa；由析 因实验设计可知粘结剂厚度对 QFN热应力的影响最大。 关键词 ：四方扁平无引脚封装 ；主应力；剪切应力；析因实验设计 中图分类号：TN306 文献标识码：A 文章编号：168l一1070(2009)12—0030-04 ThermalReliabilityAnalysisforQFNbasedonFactorialExperimentalDesign NIULi—gang (SchoolofMechanicalandElectricalEngineering，GuilinUniversityofElectronicTechnology， Guilin541004，China) Abstract：Intheprocessesofproductionanduse．thetherrnalstresswillbeproducedatthelnterfacebetween differentmaterialsduetothemismatchofthermalexpansioncoefficient．Andthethermalstressisoneofmain reasonsthatcausemicroelectronicpackagingdevicesfailure．Inthispaper，thefiniteelementsoftwareM SC． Marcwasemployedtoanalyzethethermalstress，warpage，principalstressandshearstressofQFNduring reflowprocess．Thefactorialexperimentaldesignwasconductedtoobtainthemaineffectivefactorsofthermal stress．TheresultsshowthatthemaximumthemralstressofQFNduringreflowprocessoccursatthecomer pointofchipandchipadhesive；Themaximum principalstressandshearstressalsoappearsinthecomerpoint ofchipandchipadhesive，andthevalueswere21．42MPaand一28．47MParespectively；Thethermalstresswas influencedmainlybythethicknessofchipadhesivethroughfactorialexperimentaldesign．