一种高功率LED封装的热分析82171.pdfVIP

SEMICOND UCTOR OPTOEL ECTRONICS 　Vol . 27 No. 1 Feb. 2006 光电器件 一种高功率 L ED 封装的热分析 1 1 2 马泽涛 , 朱大庆 , 王晓军 ( 华中科技大学 1. 激光技术国家重点实验室; 2 . 微系统中心,湖北 武汉 430074) ( ) 摘 　要 : 　建立了大功率发光二极管 L ED 器件的一种封装结构并利用有限元分析软件对其 进行了热分析 , 比较了采用不同材料作为 L ED 芯片热沉的散热性能 。最后分析了L ED 芯片采用 chiponboar d 技术封装在新型高热导率复合材料散热板上的散热性能 。 关键词 : 　高功率 L ED ; 芯片热沉 ; 热管理 ; chiponboar d 中图分类号 : TN 3 12 . 8 　文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 5868 (2006) 0 1 - 00 16 - 04 Thermal Analysis of Highpower L ightemitting Diode Packages MA Zet ao1 , ZHU Daqing1 , WAN G Xiaoj un2 ( 1. National Laboratory of Laser Technology ; 2 . Institute of Microsystems , Huazhong University of Science and Technology , Wuhan 430074 , CHN) Abstract : 　A novel p ackage an d t her mal analy si s ba sed o n F EA soft ware for high p ower L ED were p re sent ed . Heat di ssip ation of diff erent die heatsink mat erial s wa s co mp ared . L at er ,t he heat p erfor mance of L ED p ackage utilizing chiponboar d t echnolo gy on a novel co mp o sit e mat erial s wit h high t her moconductivit y wa s st udied . Key words : 　highp ower L ED ; heat sink ; t her mal management ; chipo nboar d 1 　引言 镜 , 以及芯片热沉等各个环节 ,散热问题都必须很好 地重视 。大多数塑料和环氧树脂暴露在紫外辐射下 目前 , 比较成熟的商品化功率型发光二极管 都会变黄老化 ,这种老化随着封装结构温度的增加 (L ED) 输入功率一般为 1 W , 芯片面积 1 mm ×1 会越来越严重 ,且不可逆转 。为了最大限度地减少 mm ,其热流密度达到了 100 W/ cm2 。随着芯片技 L ED 封装树脂的老化效应 ,封装中多余热量应避免 术的日益成熟 ,单个 L ED 芯片的输入功率可以进一 从取光途径散出 ,为此应通过设计低热阻L ED 封装 步提高到 5 W 甚至更高 , 因此防止 L ED 的热量累