迈入21世纪新材料—课件.pptVIP

目 录 序言 信息功能材料 半导体材料 光电子材料 能源功能材料 超导材料 磁性材料 贮能材料 燃料电池 生物材料与智能材料 医用生物材料 仿生材料 工业生产中的生物模拟 智能材料及智能系统 宇航及动力机械材料 材料制备工艺及检测 纳米材料科学技术 材料设计 不同类型材料的发展 金属结构材料 工程陶瓷及其它无机非金属材料 有机高分子材料 先进复合材料 碳素材料 结束语 但不同档次的硅芯片在21世纪仍大量 存在，并将有所发展。 * 在绝缘衬底上的硅（SOI，SiOn Insulator) :功能低、低漏电、集成度高、高速度、工艺简单等。SOI器件用于便携式通信系统，既耐高温又抗辐照。 * 集成系统（IS，Integrated System)：在单个芯片上完成整系统的功能，集处理器、存储器直到器件设计于一个芯片 (System on a Chip)。 * 集成电路的总发展趋势：高集成度、微型化、高速度、低功耗、高灵敏度、低噪声、高可靠、长寿命、多功能。为了达到上述目标，有赖于外延技术（VPE，LPE，MOCVD 及 MBE）的发展，同时对硅单晶的要求也愈来愈高。表1为集成电路的发展对材料质量的要求。 表1 集成电路发展对材料质量的要求 (2)第二代半导体材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物 GaAs 电子迁移率是Si的6倍（高速），禁带宽（高