太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收研究①.pdfVIP

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2017-09-02 发布于重庆
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太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收研究①.pdf

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第 28 卷　第 3 期稀　有　金　属 2004 年 6 月 Vol . 28 №. 3 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 CHINESE JOURNAL OF RARE METALS June 2004 太赫兹场作用下 GaAs 量子阱的光吸收研究① 米贤武 , 曹俊诚 ( 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 , 上海 200050) 摘要 : 用密度矩阵理论 , 研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下 GaAs 量子阱的光吸收谱。在直流和太赫兹场作用下 , 由于量子约束斯塔克效应 , 光吸收谱呈现出多个激子吸收峰。改变太赫兹的强度和频率 , 吸收谱出现恶歇分裂 , 并产生边带。这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应。关键词 : 光吸收谱 ; 量子阱; 太拉赫兹 + ( ) 中图分类号 : O471. 3 ; O472 . 3 ; TN219 　　文献标识码 :A 　　文章编号 :0258 - 7076 2004 03 - 0585 - 03 　　现代光通信器件 , 如光开关、调制器及波分复 dp ml ( t) k l m ml ( ε ε ω) ( ) ( ( ) = - i + - p t + i n t 用器 , 要求对高频辐照下半导体的光吸收有一个 d t ek nk g k ek lm mn mn nl ( ) ) ω ( ) ( ) ( μ μ ) ( ) + nhk t - 1 R , k t + iE t p k - p k 透彻的了解。最近 , 强太赫兹 THz 场作用下量子 n [ 1～3 ] - Γ p ml ( 1) 阱的带边吸收谱 , 引起人们的广泛兴趣。当量 sc k ω ( ) ( ) δ mp ( ) 其中 t =