双束电镜（HeliosNanolab600i）使用手册.docVIP

双束扫描电镜（HeliosNanolab 600i）使用手册 ★实验前，必须用超薄切片观察样品的质量。 1. 先观察样品并设计一下样品切割拍照方案 2. Link样品 先用SEM低倍找到样品再用高倍聚焦样品再回到低倍点link使工作距离变到大约4(此时可以Pt沉积显示是绿色的) 3. 调整样品的位置 在FIB窗口观察：调整样品R，倾斜样品T，使样品与FIB垂直（看不到白色侧面） 4. Pt沉积： 先框选要切割的位置（rectangle），在Pt heat cold 双击变warm后 再点成?图标(同时Pt沉积管进入) Application Value： Pt dep， Z：1.5μm，30kV, 9.3 nA或更小，Start开始沉积 沉积完成后，Pt沉积√去掉（沉积管出） warm→cold 沉积层完成后，先切掉样品拍照面要观察表面沉积的炭层和Pt层），（clean cress section， application value: Si, Z=15μm，30kV，47nA）（粗切可用大电流） 切好后用SEM界面观看是否是要观察的区域再进行下一步的操作 5. 挖凹槽 将要观察的样品两侧挖大约10μm宽的2个凹槽（一定要2个分别挖槽）（clean cress section， application value: Si, Z=15μm，30kV，47nA） 再切掉表面的一层（因为两面挖槽会溅射到表面） 1)30 kV 2)2.5 nA(小电流可以精细的切割) 3)Z=15 4)cleaning cross section 6. 做标记 将样品旋转R +180度,使样品要切的面对着离子束 在两个凹槽的右侧的做上扫描电镜拍照标记(先Pt沉积一个方块,再用离子束打一个环状结构或其他的图形，可以两个凹槽里都做不同的标记) 做好标记后再转回原来的R，然后再调整focus 使SEM和FIB的界面都清晰并且在界面的同一高度 7. 打开自动切割的的程序-Auto slice and viewG3（2） 1）写一下用户名 例如：Liwennormal 2）next（FIB界面分辨率HFW ～138μm） 3）软件右侧出现FIB样品的界面 （小黄框是用来选择要切割的位置的） High ～10μm Depth 15μm slicing current 束流一般用2.5nA Image resolution 4×3 要是设置 × 的标记时候 1μm creat----- 一般不用调整参数 *不改变参数就不用刷新了 （做成的×尽量在一个不妨碍样品切割的位置为好） 4）next 提示将样品两边抠出凹槽和选择切割位置 这一步之前已经做了 就把所有的√都去掉就行了 此时样品是与FIB垂直的，拍照时候应该将样品转到与SEM垂直（T+38度） 5）next image parameter（图片设置参数）→刷新一下 EB 4k×4k, 3μs, 1 √E.Aligment … √autofocus… （刷新一下） √Enable ACB …只修改scan mode reduced area 切一下如果要找2个位置的照片 就再设置一次（add）多次拍照一定要在每个位置分别聚焦 6）next sleep when finish √ 7)前几张照片要看一下运行的怎么样