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第 38卷 第 6期 金 属 学歧 V01.38 o.6
2002年 6月 617—J620页 ACTAMErALLURGICA SINICA Jun 2002 PP.617 620
插人Bi层对NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀
多层膜交换耦合的影响
朱逢吾 ) 于广华 ) 李明华t一。) 姜宏伟 。) 赖武彦。
1)北京科技大学材料物理系,北京 100083
2)中国科学院物理研究所、北京 100080
摘 要 对于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋闻多层膜,Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中
NiFe/FeMn的交换耦旨场 H 下降 然而,步量的表面活化原子Bi被沉积到Cu层和被钉扎NiPe层之间,Cu原子在
NiFe/FeMn界面的偏聚可以被抑制,而且,更重要的是Ta/NiF
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