二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染.pdfVIP

维普资讯 第54卷 第4期 2005年4月 物 理 学 报 Vo1．54，No．4，April，2005 1000．3290／2005／54(04)／1895—40 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2005Chin．Plays．Soe． 二次离子质谱深度剖面分析氢化 微晶硅薄膜中的氧污染* 张晓丹 赵 颖 朱 锋 魏长春 麦耀华 高艳涛 孙 建 耿新华 熊绍珍 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津 300071) (光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，天津 300071) (南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室，天津 300071) (2004年 7月 15日收到；2004年 11月3日收到修改稿) 运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧 污染情况．结果发现：薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变 ．制备的微晶硅薄膜，晶化程度越高薄膜