Sn掺杂CdO透明导电薄膜的制备和光电性能研究_郑必举.pdfVIP

第50 卷第1 期 真 空 VACUUM Vol. 50, No. 1 2013 年1 月 Jan. 2013 Sn掺杂CdO透明导电薄膜的制备和光电性能研究* 郑必举，胡 文 (昆明理工大学，材料科学与工程学院，云南 昆明 650093) 摘 要：通过脉冲激光法在石英玻璃基底上沉积了锡掺杂氧化镉(Sn-CdO)透明导电薄膜。X射线衍射，分 光光度计和霍尔效应仪检测了薄膜的结构、光学和电学性能。结果表明Sn的掺杂提高了薄膜[111]方向 的择优生长，而且促使了(200)晶面衍射角增大。Sn-CdO薄膜的光学禁带宽度随着 Sn掺杂含量的增加而 变宽。另外，适量的Sn掺杂可以明显改善CdO薄膜的电学性能，比如2.9at%Sn掺杂CdO薄膜的电阻率 是未掺杂