不同衬底和CdCl2退火对磁控溅射CdS薄膜性能影响.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 15 (2013) 158107 不同衬底和CdCl2 退火对磁控溅射CdS 薄膜性能的影响* 12 2 12 1 2 2† 12 张传军 邬云骅 曹鸿 高艳卿 赵守仁 王善力 褚君浩 1) ( 中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083 ) 2) ( 上海太阳能电池研究与发展中心, 上海 201201 ) ( 2013 年3 月9 日收到; 2013 年4 月10 日收到修改稿) 在科宁7059 玻璃, FTO, ITO, AZO 四种衬底上磁控溅射CdS 薄膜, 并在CdCl + 干燥空气380 ◦C 退火, 分别研 2 究了不同衬底和退火工艺对CdS 薄膜形貌、结构和光学性能的影响. 扫描电子显微镜形貌表明: 不同衬底原位溅 射CdS 薄膜的形貌不同, 退火后相应CdS 薄膜的晶粒度和表面粗糙度明显增大. XRD 衍射图谱表明: 不同衬底原 位溅射和退火CdS 薄膜均为六角相和立方相的混相结构, 退火前后科宁7059 玻璃, FTO, AZO 衬底上CdS 薄膜有 H(002)/C(111) 最强衍射峰, ITO 衬底原位溅射CdS 薄膜没有明显的最强衍射峰, 退火后出现H(002)/(111) 最强衍射 峰. 紫外-可见分光光度计分析表明: AZO, FTO, ITO, 科宁7059 玻璃衬底CdS 薄膜的可见光平均透过率依次减小, 退火后相应衬底CdS 薄膜的可见光平均透过率增大, 光学吸收系数降低; 退火显著增大了不同衬底CdS 薄膜的光学 带隙. 分析得出: 上述结果是由于不同衬底类型和退火工艺对CdS 多晶薄膜的形貌、结构和带尾态掺杂浓度改变的 结果. 关键词: CdS 薄膜, 磁控溅射, 退火再结晶, 带尾态 PACS: 81.40.jm, 81.15.Cd, 68.55.A− DOI: 10.7498/aps.62.158107 问题的一道关键工艺是在含Cl 气氛中退火优化晶 1 引言 体结构和激活载流子, 以满足高效率薄膜太阳能电 池的要求 910 . 另外对不同衬底上生长的CdS 薄 硫化镉 (CdS) 薄膜是Ⅱ- Ⅵ族和Ⅲ- Ⅴ族化 膜的研究表明, 衬底类型和退火工艺对CdS 薄膜 11 合物薄膜太阳能电池重要的窗口层材料, 例如以 的形貌结构和光电性能有很大的影响 . 当前以 CdS 薄膜作为窗口层的碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒 FTO, ITO, AZO 作为前电极透明导电薄膜(TCO), (CIGS) 和铜锌锡硫(CZTS) 薄膜太阳能电池的最 磁控溅射制备的CdTe 薄膜太阳能电池效率都超过 高效率分别达到 18.7%, 20.3%和 11.1%1−3 . 与化 10%1213 , 因此研究这三种TCO 衬底对磁控溅射 学水浴(CBD)4、近空间升华(CSS)5、分子束外 CdS 薄膜性能的影响, 其结果对于薄膜太阳能电池 延(MBE) 等制备技术相比, 磁控溅