3 SINUMERIK 802Sbl数控系统数据保护1.docVIP

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实验三 SINUMERIK 802CBL 数控系统的数据保护 一、实验目的: 1、掌握802CBL系统的数据流程,以及怎样进行有效的数据保护,怎样进行数据备份等。 二、实验设备: 1、RS-SY-802CBL数控机床综合实验系统 2、计算机(电脑)及RS232串行通讯电缆 三、实验必备的知识: 有关存储器的概念,数控系统的有关操作,系统的机床数据的类型与格式。 1、802CBL系统内,有静态存储器SRAM与高速闪存FLASH ROM 两种存储器,静态存储器区存放工作数据(可修改),高速闪存区存放固定数据,通常作为数据备份区,以及存放系统程序。 工作数据区内的数据内容有:机床数据、刀具数据、零点偏移、设定数据、螺距补偿、R参数、零件程序、固定循环。 备份数据区内的数据内容是系统在数据存储操作后工作数据区的全部内容复制到备份数据区。 2、802CBL有三种启动方式: a.方式0,正常上电启动。即以静态存储器区的数据启动。正常上电启动时,系统检测静态存储器,当发现静态存储器掉电,如果做过内部数据备份,系统自动将备份数据装入工作数据区后启动;如果没有系统会将出厂数据区的数据写入工作数据区后启动。 b.方式1,缺省值上电启动。以SIEMENS出厂数据启动,制造商机床数据被覆盖。启动时,出厂数据写入静态存储器的工作数据区后启动,启动完后显示04060已经装载标准机床数据报警 c.方式3,按存储数据上电启动。以高速闪存FLASH ROM 内的备份数据启动。启动时,备份数据写入静态存储器的工作数据区后启动,启动完后显示04062已经装载备份数据报警 3、数据保护:802CBL的数据保护分为机内存储和机外存储两种 注意! 系统工作时是按静态存储器SRAM区的数据进行工作的,我们通常修改的机床数据和零件加工程序等都在SRAM区,SRAM区的数据若不进行备份(数据保护)是不安全的,SRAM区中的数据有可能会丢失。 a.机内存储即将静态存储器SRAM区已修改过的有用数据存放到高速闪存FLASH ROM区保存。 通常系统断电后,SRAM区的数据由高能电容C上的电压进行保持,可在断电情况下保持数据不少于50小时(一般情况下可在14天左右)。对于长期不通电的机床,SRAM区的数据将丢失。当重新上电时,系统会根据电容上电压的情况,在启动过程中自动调用备份数据区上一次存储的机床数据(方式3启动),若没有做过数据存储则在启动过程中自动调用出厂数据区上数据(方式1启动)。 机内存储即数据存储功能是一种不需任何工具的方便快速的数据保护方法。 b.机外存储即将静态存储器SRAM区数据通过RS232串行口传输至电脑保存。 四、实验内容 1、数据存储 2、通过RS232进行系统与电脑之间的数据传输。 五、实验步骤 1、数据存储(机内存储) 由实验必备知识,我们可以了解到802CBL系统的数据流向,并认识到数据存储的重要性。用户在修改过数据后(任何数据)按最好都需做数据存储操作。 数据存储具体操作步骤: 步骤一、按[区域转换]键,进入操作区域的主菜单。 步骤二、按[诊断]功能菜单键,进入诊断操作区域。 步骤三、按[调试]功能菜单键。 步骤四、按[菜单扩展]键,出现数据存储菜单功能。 步骤五、按[确认]菜单键,系统进行数据备份,屏幕提示别操作!别断电! 注意!数据存储需要十几秒的时间,此间不要作任何操作,不能断电! 注意!必须关闭口令后进行数据存储! 2、三种上电启动方式 由实验必备知识,我们可以了解到802CBL系统的启动方式有三种: 0方式 正常上电启动 1方式 缺省值上电启动 3方式 按存储数据上电启动 启动方式选择具体操作步骤: 步骤一、按[区域转换]键,进入操作区域的主菜单。 步骤二、按[诊断]功能菜单键,进入诊断操作区域。 步骤三、按[调试]功能菜单键。 步骤四、按[调试开关]功能菜单键。 步骤五、通过光标向上键或光标向下键选择NC启动的方式,有正常上电启动、缺省值上电启动、按存储数据上电启动三种启动方式。 步骤六、选择[确定]菜单,系统按所选择的启动方式进行重启。 3、试车数据传输(机外存储) 802CBL上有一RS232口,可与外部设备(如电脑)进行数据通讯。 如用电脑进行数据通讯时电脑侧应安装SIEMENS公司的专用通讯软件WINPCIN。 RS232标

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