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Preparation of Silicon Wafers
Crystal Growth
長晶
Granular 顆粒( ) polysilicon
in melt phase
Raw Material: 融化
(polysilicon)
原始材料
Chunk (塊狀) polysilicon
in melt phase
Seed 晶種( ) and Ingot (晶錠)
Crystal Pulling
拉晶
Finished Ingot
晶錠完成
Crystal trimming (修整) and 修整與研磨
diameter grind (研磨)
Flat grinding 平口端之研磨
Zone refining
Edge Rounding (變圓)
Slicing (切片)
Lapping (細研磨)
Lapping
Wafer Etching (蝕刻)
Polishing (拋光)
Polishing (拋光)
Epitaxial Growth
磊晶
Epitaxial
Layer
磊晶層( )
Epitaxial Growth
磊晶
Epitaxial Layer Si
99.9999999999%
Substrate Si
99.9999999%
Wafer Identifying Flats
Methods for Epitaxial (磊晶) Growth
磊晶的方法
1. Chemical Vapor Deposition (CVD;化學氣相沈積法) :
silicon based, germanium based,
2. Molecular Beam Epitaxy (MBE; 分子磊晶法) :
GaAs based,
Chemical Vapor Deposition (CVD)
SiH4 (1 )Gas transport gas gas
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